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题名一种新型超宽共模输入范围放大器设计
被引量:2
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作者
余国义
张乐
郑梅军
钟建福
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机构
华中科技大学电子科学与技术系
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出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2012年第5期504-508,共5页
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基金
华中科技大学自主创新研究基金项目(2011QN005)
教育部博士点基金分布式数字电源的低功耗研究项目(20090142120005)
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文摘
在分析传统CMOS宽共模输入级结构基础上,设计了一种新型CMOS电路结构实现超宽共模输入范围(ICMR)的运算放大器。此设计通过提取输入共模电平与参考共模电平比较放大,反馈到输入信号端,使信号在放大前共模电平趋近参考共模电平,可扩大输入共模电平范围,并有利于OP core性能保持稳定。电路采用TSMC 0.13μm CMOS工艺进行设计,利用Cadence仿真,结果表明:在3.3 V电源电压下,输入共模范围为-1.5 V~4.8 V,开环增益为74 dB,单位增益带宽为11.4MHz,相位裕度为74°。
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关键词
运算放大器
超宽共模输入范围
输入级
CMOS工艺
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Keywords
operational amplifer
ultra-width input common-mode range(ICMR)
input stage
complementary metal oxide semiconductor(CMOS)process
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分类号
TN433
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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