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基于FIB/HPCVD的MgB;超导微桥制备
1
作者
张新月
李艳丽
+1 位作者
孔祥东
韩立
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2021年第12期1100-1107,共8页
超导微桥是决定超导热电子混频器性能的关键结构,为提高超导热电子混频器的工作温度并拓宽其中频带宽,用超导转变温度约40 K的MgB;超导薄膜制备超导微桥。研究了一种MgB;超导微桥的制备方法。首先利用聚焦离子束(FIB)直写技术在(0001)Si...
超导微桥是决定超导热电子混频器性能的关键结构,为提高超导热电子混频器的工作温度并拓宽其中频带宽,用超导转变温度约40 K的MgB;超导薄膜制备超导微桥。研究了一种MgB;超导微桥的制备方法。首先利用聚焦离子束(FIB)直写技术在(0001)SiC衬底上制备出尺寸约1μm×1μm的微桥结构,然后采用混合物理化学气相沉积(HPCVD)法,在带有微桥结构的SiC衬底上生长厚度约20 nm的MgB;薄膜,从而得到MgB;超导微桥。扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)的表征结果显示,微桥处的薄膜致密,晶粒沿垂直于衬底表面的c轴方向生长;原子力显微镜(AFM)分析薄膜的粗糙度约为0.8 nm;电阻-温度(R-T)测试结果表明,MgB;微桥的上超导转变温度约为40.43 K;由电流-电压(I-V)测试结果计算得到MgB;超导微桥的临界电流密度约为1.2×10^(7)A/cm^(2)。该工作对基于超导微桥结构的超导热电子混频器等超导电子学器件的制备具有重要的参考意义。
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关键词
聚焦离子束(FIB)
混合物理化学气相沉积(HPCVD)
MGB
薄膜
超导微桥
超导
热电子混频器
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职称材料
题名
基于FIB/HPCVD的MgB;超导微桥制备
1
作者
张新月
李艳丽
孔祥东
韩立
机构
中国科学院电工研究所微纳加工与智能电气设备研究部
中国科学院大学
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2021年第12期1100-1107,共8页
基金
国家自然科学基金资助项目(U1831202)
国家重点研发计划资助项目(2018YFF0109100)。
文摘
超导微桥是决定超导热电子混频器性能的关键结构,为提高超导热电子混频器的工作温度并拓宽其中频带宽,用超导转变温度约40 K的MgB;超导薄膜制备超导微桥。研究了一种MgB;超导微桥的制备方法。首先利用聚焦离子束(FIB)直写技术在(0001)SiC衬底上制备出尺寸约1μm×1μm的微桥结构,然后采用混合物理化学气相沉积(HPCVD)法,在带有微桥结构的SiC衬底上生长厚度约20 nm的MgB;薄膜,从而得到MgB;超导微桥。扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)的表征结果显示,微桥处的薄膜致密,晶粒沿垂直于衬底表面的c轴方向生长;原子力显微镜(AFM)分析薄膜的粗糙度约为0.8 nm;电阻-温度(R-T)测试结果表明,MgB;微桥的上超导转变温度约为40.43 K;由电流-电压(I-V)测试结果计算得到MgB;超导微桥的临界电流密度约为1.2×10^(7)A/cm^(2)。该工作对基于超导微桥结构的超导热电子混频器等超导电子学器件的制备具有重要的参考意义。
关键词
聚焦离子束(FIB)
混合物理化学气相沉积(HPCVD)
MGB
薄膜
超导微桥
超导
热电子混频器
Keywords
focused ion beam(FIB)
hybrid physical-chemical vapor deposition(HPCVD)
MgB2 thin film
superconducting microbridge
superconducting hot-electron bolometer mixer
分类号
O439 [机械工程—光学工程]
O511.9 [理学—低温物理]
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作者
出处
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1
基于FIB/HPCVD的MgB;超导微桥制备
张新月
李艳丽
孔祥东
韩立
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2021
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