掺杂C_（60）超导体研究进展

较全面介绍了修杂Ｃ（６０）超导体实验和理论研究的新进展．

铁电体/高温超导体集成薄膜的制备与性质

高温超导体的载流子浓度比常规超导体的低(对YBa_2Cu_3Q_(7-6)而言,n≌5×10^(21/cm^3)其载流子间的Coulomb屏蔽长度大,因而高温超导体中的载流子浓度易受外加电场的影响,或者说,能够由外场来调制.1991年,文献[1～3]研究了以SrTiO_3为门电极的金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor,MIS)型的三端器件(three terminal devices),即超导场效应晶体管(superconducing field-effect transistor,SuFET).但实际的增益只达到0.9.通过采用高介电系数的门电极可以对这种超寻场效应晶体管加以改进.