CdF_2半导体膜中电子-表面声子强耦合对极化子性质的影响

采用改进的 Huybrechts线性组合算符和变分方法 ,研究了半导体膜内电子与表面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合对极化子性质的影响 ,得到了极化子的有效质量和自陷能随膜厚的变化规律 .对 Cd F2 半导体 。

入射光强对Ag-BaO薄膜内场助光电发射特性的影响

通过对不同光强入射下 Ag- Ba O薄膜内场助光电发射特性的测试 ,实验发现 Ag- Ba O薄膜内场助光电发射电流随内场助偏压的增长过程经历了快速增长和缓慢增加两个阶段 ,相应的转折电压大小与入射光强有关 .理论分析表明 ,内场助作用下 Ag- Ba O薄膜体内能带结构发生了 Ag微粒和 Ba O介质间等效界面势垒减小及薄膜表面真空能级相对下降等两个方面的变化 ,其在内场助作用过程中相对效果的不同导致了光电流增长过程中的两个阶段 ;

金属超微粒子─半导体薄膜的光学瞬态响应

利用飞秒脉冲激光和泵浦探测技术测量了金属超微粒子半导体复合薄膜ＡｇＢａＯ的瞬态光学透过率随延迟时间的变化曲线，观察到了薄膜对光的吸收漂白现象，并在不到２ｐｓ时间内恢复．该现象是薄膜中金属超微粒子内费密能级附近电子被飞秒激光脉冲激发，产生非平衡电子而经历瞬态弛豫造成的．弛豫主要包括非平衡电子越过超微粒子和周围介质的界面位垒进入周围介质，以及非平衡电子同晶格和界面的散射两种过程．

金属超微粒子-介质复合薄膜(Ag-BaO)的光吸收特性

测量了真空热蒸发沉积法制备的贵金属Ａｇ超微粒子－介质（ＢａＯ）复合薄膜近紫外到可见的吸收光谱。这种薄膜的透射电镜显微像表明，Ａｇ在介质中形成了较均匀的超微粒子，粒径为１５ｎｍ。观察到吸收谱在４１０ｎｍ处有明显的等离子激元共振吸收峰，这是电偶极振荡的吸收。与以往文献的结果做了比较，讨论了吸收光谱对金属微粒尺寸的依赖关系。

AlNi纳米合金薄膜低温电阻率的特性研究

通过磁控溅射制备了AlNi纳米合金薄膜,并利用自制的直排四探针低温测量系统测量了薄膜电阻率随温度(8~300K)的变化规律。结果表明:由于电子-声子和电子-磁子相互作用,纯Al和Ni纳米晶薄膜的电阻率分别呈现出正的电阻率温度系数,且电子-磁子散射对电阻率的贡献主要体现在高温区(80~300K),在低温区(<40K)电子-晶界/表面散射对电阻率的贡献占主导地位。Ni原子掺入量的增加,诱导了纳米晶薄膜无序程度的增强,从而使Al1-xNix纳米合金薄膜逐渐由晶体的金属特性过渡到半导体特性,导致其呈现出负的电阻率温度系数。由于增强的电子极化效应,Al1-xNix纳米合金薄膜电阻率与温度的关系并不完全遵循半导体的热激发导电模型。

Ag-BaO薄膜在电场作用下的可见——近红外波段光学吸收特性

对超额Ba激活的Ag BaO复合薄膜在外加垂直表面电场作用下的光学吸收特性进行了测量 .结果显示 ,薄膜在可见—近红外光波段存在两个吸收峰 ,其中近红外光区的吸收峰强度随垂直表面电场的作用而降低 .理论分析表明 ,可见光区的主吸收峰源于埋藏在BaO半导体中的Ag超微粒子的表面等离激元共振吸收 ;近红外光区的次吸收峰则由BaO半导体基质中杂质能级的光吸收引起 ,杂质能级的产生与超额Ba在BaO晶体中造成的氧缺位有关 .在外加垂直表面电场作用下 ,BaO基质中的杂质发生电离 ,并导致杂质能级上束缚电子浓度减小 。

中国真空学会团体会员单位简介

·北京大学无线电系电子与离子物理专业主要科研方向是表面物理与薄膜物理。目前正在进行的研究课题有超微粒子半导体薄膜、非晶硅薄膜、电子学材料表面结构和特性等。主要产品有程控真空计、通道倍增器等。