基于砷化镓材料的高功率超快光电导开关研究

简述了超快光电导开关的原理 ,分析了提高超快电脉冲时间特性的方法。通过辐照在 Ga As内部引入深能级陷阱 ,并用基于此种材料的光电导开关在实验中获得了上升时间 <2 0 0 ps的超快电脉冲波形。实验表明深能级的引入有利于开关对长波限激光脉冲的吸收。

LT-GaAs飞秒光电导特性

采用飞秒脉冲光电探测技术研究低温生长砷化镓光电导开关超快瞬态响应特性 .实验测得不同激发波长或偏置电压下 L T- Ga As光电导开关瞬态响应驰豫时间约 35 0～ 390 fs,由实验数据计算得到电子迁移率约 10 0 0 cm2 /V.s.由导出的瞬态光电流相关响应归一化表达式 ,对实验曲线进行数据拟合 ,结果与实验曲线吻合 .

光放大、控制与器件

TM564 99063847 高压超快GaAs光电导开关的研究=Fabrication ofhigh—voltage ultra—fast photoconductiveswitches[刊,中]/梁振宪(西安交通大学电气学院.陕西,西安(710049)),施卫(西安理工大学应用物理系.陕西,西安(710048))∥电子学报.—1998,26(11).

光放大、控制与器件

TM564 99031831超高速光电导开关脉冲源及其应用=Pulse sourcesof ultra-fast photoconductive switches and itsapplications[刊,中]/施卫,李琦,孙强(西安理工大学.陕西,西安(710048)),梁振宪(西安交通大学.陕西,西安(710049))//光子学报.—1998,27(23).-11-15概述了超快光电导开关脉冲源的原理、性能。