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n型掺杂GaAs中电子与空穴的超快弛豫特性 被引量：1
1
作者 张海潮 黄淳 +2 位作者 文锦辉 赖天树 林位株 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期21-25,共5页
研究了n型重掺杂GaAs中的光生电子与空穴的超快弛豫特性.在n型重掺杂情况下,由于费米面已进入导带之中,抑制了费米面附近光激发电子的弛豫过程对泵浦探测信号的贡献,而突出了空穴弛豫在饱和吸收谱中的地位.理论计算表明空穴通过吸收光... 研究了n型重掺杂GaAs中的光生电子与空穴的超快弛豫特性.在n型重掺杂情况下,由于费米面已进入导带之中,抑制了费米面附近光激发电子的弛豫过程对泵浦探测信号的贡献,而突出了空穴弛豫在饱和吸收谱中的地位.理论计算表明空穴通过吸收光声子在～300fs时间内达到与晶格热平衡,并由此所导出的材料光学形变势常数d0=31eV.计算值与实验测量结果相符合. 展开更多
关键词 N型 掺杂 砷化镓 超快弛豫特性 电子 空穴
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