用光电导开关产生稳幅ps量级时间晃动超快电脉冲的研究

报道了用半绝缘GaAs光电导开关产生电压幅值稳定、ps量级时间晃动超快电脉冲的实验结果 .分别用ns ,ps和fs激光脉冲触发GaAs光电导开关的结果表明 ,在低电场偏置下 ,电极间隙为 1mm的GaAs光电导开关可以产生触发时间晃动小于 1 0ps、电压幅值变化小于 1 2 %、亚ns量级脉冲宽度的稳定超短电脉冲 .分析了触发光脉冲能量起伏对光电导开关产生超快电脉冲电压幅值的影响 ,指出通过控制光电导开关的触发条件和对开关的优化设计 ,就可以获得电压幅值稳定。

基于砷化镓材料的高功率超快光电导开关研究

简述了超快光电导开关的原理 ,分析了提高超快电脉冲时间特性的方法。通过辐照在 Ga As内部引入深能级陷阱 ,并用基于此种材料的光电导开关在实验中获得了上升时间 <2 0 0 ps的超快电脉冲波形。实验表明深能级的引入有利于开关对长波限激光脉冲的吸收。

用光激开关产生高功率亚纳秒电脉冲的研究

报道了用全固态绝缘结构研制的横向型半绝缘 Ga As光电导开关产生高功率亚纳秒电脉冲的性能和测试结果。8mm电极间隙的开关暗态绝缘强度达 3 0 k V。分别用 ns,ps和 fs激光脉冲触发开关的测试表明 ,开关输出电磁脉冲无晃动。 3 mm电极间隙开关的最短电流脉冲上升时间小于 2 0 0 ps,脉宽达亚 ns;在偏置电压 2 0 0 0伏 ,光脉冲宽度 8ns,能量 1 .2 m J的触发条件下 ,峰值电流达 5 60 A。用重复频率为 76MHz和 1 0

高功率亚纳秒GaAs光电导开关的研究

报道了具有全固态绝缘结构的横向型半绝缘GaAs光电导开关的研制和性能测试结果 .其中 8mm电极间隙的GaAs开关暗态绝缘强度达 2 8kV ,分别用ns和ps激光脉冲触发开关的结果表明 ,开关输出电磁脉冲无晃动 ,电流脉冲上升时间小于 2 0 0ps ,脉宽达亚ns,3mm电极间隙的GaAs开关的峰值电流达 5 6 0A ,电磁脉冲重复率 10 8Hz.给出不同电极间隙的GaAs开关工作于线性和lock on状态下的实验结果 ,测试了GaAs开关工作于lock on状态下的光能。