期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
4
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
用光电导开关产生稳幅ps量级时间晃动超快电脉冲的研究
被引量:
11
1
作者
施卫
马德明
赵卫
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期1716-1720,共5页
报道了用半绝缘GaAs光电导开关产生电压幅值稳定、ps量级时间晃动超快电脉冲的实验结果 .分别用ns ,ps和fs激光脉冲触发GaAs光电导开关的结果表明 ,在低电场偏置下 ,电极间隙为 1mm的GaAs光电导开关可以产生触发时间晃动小于 1 0ps、电...
报道了用半绝缘GaAs光电导开关产生电压幅值稳定、ps量级时间晃动超快电脉冲的实验结果 .分别用ns ,ps和fs激光脉冲触发GaAs光电导开关的结果表明 ,在低电场偏置下 ,电极间隙为 1mm的GaAs光电导开关可以产生触发时间晃动小于 1 0ps、电压幅值变化小于 1 2 %、亚ns量级脉冲宽度的稳定超短电脉冲 .分析了触发光脉冲能量起伏对光电导开关产生超快电脉冲电压幅值的影响 ,指出通过控制光电导开关的触发条件和对开关的优化设计 ,就可以获得电压幅值稳定。
展开更多
关键词
光
电
导开关
超快电脉冲
电
压幅值稳定性
时间晃动
砷化镓半导体
脉冲
宽度
原文传递
基于砷化镓材料的高功率超快光电导开关研究
2
作者
张显斌
李琦
+2 位作者
田立强
屈光辉
施卫
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期40-42,共3页
简述了超快光电导开关的原理 ,分析了提高超快电脉冲时间特性的方法。通过辐照在 Ga As内部引入深能级陷阱 ,并用基于此种材料的光电导开关在实验中获得了上升时间 <2 0 0 ps的超快电脉冲波形。实验表明深能级的引入有利于开关对长...
简述了超快光电导开关的原理 ,分析了提高超快电脉冲时间特性的方法。通过辐照在 Ga As内部引入深能级陷阱 ,并用基于此种材料的光电导开关在实验中获得了上升时间 <2 0 0 ps的超快电脉冲波形。实验表明深能级的引入有利于开关对长波限激光脉冲的吸收。
展开更多
关键词
砷化镓材料
高功率
超
快
光
电
导开关
光
电
器件
超快电脉冲
下载PDF
职称材料
用光激开关产生高功率亚纳秒电脉冲的研究
被引量:
6
3
作者
施卫
赵卫
张显斌
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期734-738,共5页
报道了用全固态绝缘结构研制的横向型半绝缘 Ga As光电导开关产生高功率亚纳秒电脉冲的性能和测试结果。8mm电极间隙的开关暗态绝缘强度达 3 0 k V。分别用 ns,ps和 fs激光脉冲触发开关的测试表明 ,开关输出电磁脉冲无晃动。 3 mm电极...
报道了用全固态绝缘结构研制的横向型半绝缘 Ga As光电导开关产生高功率亚纳秒电脉冲的性能和测试结果。8mm电极间隙的开关暗态绝缘强度达 3 0 k V。分别用 ns,ps和 fs激光脉冲触发开关的测试表明 ,开关输出电磁脉冲无晃动。 3 mm电极间隙开关的最短电流脉冲上升时间小于 2 0 0 ps,脉宽达亚 ns;在偏置电压 2 0 0 0伏 ,光脉冲宽度 8ns,能量 1 .2 m J的触发条件下 ,峰值电流达 5 60 A。用重复频率为 76MHz和 1 0
展开更多
关键词
光
电
导开关
超快电脉冲
脉冲
功率技术
亚纳秒
电
脉冲
下载PDF
职称材料
高功率亚纳秒GaAs光电导开关的研究
被引量:
21
4
作者
施卫
赵卫
+1 位作者
张显斌
李恩玲
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期867-872,共6页
报道了具有全固态绝缘结构的横向型半绝缘GaAs光电导开关的研制和性能测试结果 .其中 8mm电极间隙的GaAs开关暗态绝缘强度达 2 8kV ,分别用ns和ps激光脉冲触发开关的结果表明 ,开关输出电磁脉冲无晃动 ,电流脉冲上升时间小于 2 0 0ps ,...
报道了具有全固态绝缘结构的横向型半绝缘GaAs光电导开关的研制和性能测试结果 .其中 8mm电极间隙的GaAs开关暗态绝缘强度达 2 8kV ,分别用ns和ps激光脉冲触发开关的结果表明 ,开关输出电磁脉冲无晃动 ,电流脉冲上升时间小于 2 0 0ps ,脉宽达亚ns,3mm电极间隙的GaAs开关的峰值电流达 5 6 0A ,电磁脉冲重复率 10 8Hz.给出不同电极间隙的GaAs开关工作于线性和lock on状态下的实验结果 ,测试了GaAs开关工作于lock on状态下的光能。
展开更多
关键词
半导体光
电
导开关
lock-on效应高功率
超快电脉冲
GAAS
砷化镓
原文传递
题名
用光电导开关产生稳幅ps量级时间晃动超快电脉冲的研究
被引量:
11
1
作者
施卫
马德明
赵卫
机构
西安理工大学应用物理系
中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期1716-1720,共5页
基金
国家高技术研究发展计划 (批准号 :863 80 4 2 0 0 2AA842 2 11)
国家自然科学基金 (批准号 :5 0 0 770 17
10 3 760 2 5 )资助的课题~~
文摘
报道了用半绝缘GaAs光电导开关产生电压幅值稳定、ps量级时间晃动超快电脉冲的实验结果 .分别用ns ,ps和fs激光脉冲触发GaAs光电导开关的结果表明 ,在低电场偏置下 ,电极间隙为 1mm的GaAs光电导开关可以产生触发时间晃动小于 1 0ps、电压幅值变化小于 1 2 %、亚ns量级脉冲宽度的稳定超短电脉冲 .分析了触发光脉冲能量起伏对光电导开关产生超快电脉冲电压幅值的影响 ,指出通过控制光电导开关的触发条件和对开关的优化设计 ,就可以获得电压幅值稳定。
关键词
光
电
导开关
超快电脉冲
电
压幅值稳定性
时间晃动
砷化镓半导体
脉冲
宽度
Keywords
photoconductive switches, ultra-fast electrical pulse, stability of pulse voltage amplitude, jitter-time
分类号
TN782 [电子电信—电路与系统]
原文传递
题名
基于砷化镓材料的高功率超快光电导开关研究
2
作者
张显斌
李琦
田立强
屈光辉
施卫
机构
西安理工大学自动化与信息工程学院
出处
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期40-42,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 0 770 17)
文摘
简述了超快光电导开关的原理 ,分析了提高超快电脉冲时间特性的方法。通过辐照在 Ga As内部引入深能级陷阱 ,并用基于此种材料的光电导开关在实验中获得了上升时间 <2 0 0 ps的超快电脉冲波形。实验表明深能级的引入有利于开关对长波限激光脉冲的吸收。
关键词
砷化镓材料
高功率
超
快
光
电
导开关
光
电
器件
超快电脉冲
Keywords
GaAs material photoconductive ultra-fast electrical pulse
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
用光激开关产生高功率亚纳秒电脉冲的研究
被引量:
6
3
作者
施卫
赵卫
张显斌
机构
西安理工大学应用物理系
中国科学院瞬态光学技术国家重点实验室
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期734-738,共5页
基金
国家自然科学基金资肋课题 (5 0 0 770 17)
瞬态光学技术国家重点实验室开放基金资助课题 (YAK 2 0 0 2 )
文摘
报道了用全固态绝缘结构研制的横向型半绝缘 Ga As光电导开关产生高功率亚纳秒电脉冲的性能和测试结果。8mm电极间隙的开关暗态绝缘强度达 3 0 k V。分别用 ns,ps和 fs激光脉冲触发开关的测试表明 ,开关输出电磁脉冲无晃动。 3 mm电极间隙开关的最短电流脉冲上升时间小于 2 0 0 ps,脉宽达亚 ns;在偏置电压 2 0 0 0伏 ,光脉冲宽度 8ns,能量 1 .2 m J的触发条件下 ,峰值电流达 5 60 A。用重复频率为 76MHz和 1 0
关键词
光
电
导开关
超快电脉冲
脉冲
功率技术
亚纳秒
电
脉冲
Keywords
photoconductive switch
ultrafast electrical pulse
high power pulse technology
分类号
TM564 [电气工程—电器]
TN201 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
高功率亚纳秒GaAs光电导开关的研究
被引量:
21
4
作者
施卫
赵卫
张显斌
李恩玲
机构
西安理工大学应用物理系
中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期867-872,共6页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :5 0 0 770 17)~~
文摘
报道了具有全固态绝缘结构的横向型半绝缘GaAs光电导开关的研制和性能测试结果 .其中 8mm电极间隙的GaAs开关暗态绝缘强度达 2 8kV ,分别用ns和ps激光脉冲触发开关的结果表明 ,开关输出电磁脉冲无晃动 ,电流脉冲上升时间小于 2 0 0ps ,脉宽达亚ns,3mm电极间隙的GaAs开关的峰值电流达 5 6 0A ,电磁脉冲重复率 10 8Hz.给出不同电极间隙的GaAs开关工作于线性和lock on状态下的实验结果 ,测试了GaAs开关工作于lock on状态下的光能。
关键词
半导体光
电
导开关
lock-on效应高功率
超快电脉冲
GAAS
砷化镓
Keywords
photoconductive semiconductor switches, lock on effect, high power ultra fast electrical pulse
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用光电导开关产生稳幅ps量级时间晃动超快电脉冲的研究
施卫
马德明
赵卫
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
11
原文传递
2
基于砷化镓材料的高功率超快光电导开关研究
张显斌
李琦
田立强
屈光辉
施卫
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
下载PDF
职称材料
3
用光激开关产生高功率亚纳秒电脉冲的研究
施卫
赵卫
张显斌
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
6
下载PDF
职称材料
4
高功率亚纳秒GaAs光电导开关的研究
施卫
赵卫
张显斌
李恩玲
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
21
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部