超晶格雪崩光电二极管的结构优化及性能研究

基于碰撞离化理论研究了异质材料超晶格结构对载流子离化率的作用,设计得到In_（0.53）Ga_（0.47）As/In_（0.52）Al_（0.48）As超晶格结构的雪崩光电二极管。通过分析不同结构参数对器件性能的影响,得到了低隧道电流、高倍增因子的超晶格结构雪崩层,根据电场分布方程模拟了器件二维电场分布对电荷层厚度及掺杂的依赖关系,并优化了吸收层的结构参数。对优化得到的器件结构进行仿真并实际制作了探测器件,进行光电特性测试,与同结构普通雪崩光电二极管相比,超晶格雪崩光电二极管具有更强的光电流响应,在12.5～20 V的雪崩倍增区,超晶格雪崩光电二极管在具备高倍增因子的同时具有较低的暗电流,提高了器件的信噪比。

具有超晶格雪崩区的电子倍增型雪崩光电二极管

基于碰撞离化理论研究设计了In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As电子倍增超晶格结构雪崩光电二极管,使用MOCVD外延得到实验片,经过工艺流片后进行封装测试。测试结果显示,具有超晶格雪崩区的电子倍增型APD器件,其暗电流可以控制在纳安级,光电流增益达到140,证明具有超晶格雪崩区的电子倍增型雪崩光电二极管具有很好的光电探测性能。

10Gb／s光通信系统用高速超晶格雪崩二极管

介绍了载流子倍增层采用超晶格雪崩光电二极管（ＡＰＤ）的原理，分析了影响ＡＰＤ特性的离化机理。说明了利用超晶格异质界面大的导带不连续性是增大离化率比从而改善噪声、响应速度等特性的有效途径。最后介绍了超晶格ＡＰＤ的最新进展。

超晶格半导体材料及其应用(2)

三、超晶格材料在器件方面的应用第一讲中所叙述的超晶格材料表明,我们在电子波长和平均自由程(～10nm)范围内的空间中,有可能设计和控制对电子和空穴的势能。在这样的微观势场变化中,电子状态的量子化和势垒中的隧道效应等的反映,表现出超晶格结构新的多种物理性质。因为这些物理性质不仅与材料有关,而且还与膜厚等结构参数有很强的依赖关系。因此,对器件设计的自由度很大。外另。

光通信中的主流光电探测器研究

对光通信系统解复用接收部分中的关键器件——主流光电探测器进行综合比较、优缺点分析与展望.分别对PIN光电探测器,普通雪崩二极管,超晶格雪崩二极管,波导型光电探测器,振腔增强型光电探测器,金属-半导体-金属光电探测器的原理和特点做了简要概括,并做系统比较,最后对光电探测器发展前景进行展望.

光电探测器材料与器件

一、用于高速应用的光电探测器 1.用于光信息处理的光电子元部件(特邀论文)(M.R.Taghizaden,英国Heriot-Watt大学) 2.高速视频存储器中的光纤时钟分钟分布(P.B.Kosel等,美国辛辛那提大学) 3.用于10Gbit/s数据通信的GaAs PIN光电探测器(L.Dillner等,瑞典Zarlink半导体AB公司) 4.用一种扩散结制备的新颖锗光电探测器(C.B.Morrison等,美国Spectrolab公司)