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精密掺杂技术的发展与应用
1
作者
宋登元
《微电子学》
CAS
CSCD
1993年第1期25-29,共5页
微电子学和光电子学的迅速发展,要求能对掺入半导体晶片中的杂质数量、深度和浓度分布进行精密控制,因此原子平面掺杂和超浅层掺杂技术已成为发展新器件的重要工艺之一。本文介绍了当前三种主要的浅层或薄层平面掺杂技术的特点,并简要...
微电子学和光电子学的迅速发展,要求能对掺入半导体晶片中的杂质数量、深度和浓度分布进行精密控制,因此原子平面掺杂和超浅层掺杂技术已成为发展新器件的重要工艺之一。本文介绍了当前三种主要的浅层或薄层平面掺杂技术的特点,并简要论述了它们在光电子器件和集成电路中的应用。
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关键词
超浅层掺杂
Δ
掺杂
光电器件
ULSI
下载PDF
职称材料
题名
精密掺杂技术的发展与应用
1
作者
宋登元
机构
河北大学电子系
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1993年第1期25-29,共5页
文摘
微电子学和光电子学的迅速发展,要求能对掺入半导体晶片中的杂质数量、深度和浓度分布进行精密控制,因此原子平面掺杂和超浅层掺杂技术已成为发展新器件的重要工艺之一。本文介绍了当前三种主要的浅层或薄层平面掺杂技术的特点,并简要论述了它们在光电子器件和集成电路中的应用。
关键词
超浅层掺杂
Δ
掺杂
光电器件
ULSI
Keywords
Ultra-shallow doping, Delta doping, Optoelectronic device, ULSI
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
精密掺杂技术的发展与应用
宋登元
《微电子学》
CAS
CSCD
1993
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