一种新的超突变结电容电压方程

本文对超突变结构变容二极管进行了深入的研究，在改进的杂质分布模型基础上，推出一种新的超突变结构电容电压特性方程，方程中的主要参数与实际工艺参数一致，解决了以往模型在这方面的不足。

新模型基础上的超突变结变容管容压变化指数

在一种新改进的超突变结变容管杂质分布模型的基础上，对变容管的容压变化指数ｎ与器件的材料和工艺参数之间的关系进行了研究．根据导出的关系进行了数值计算。

超突变结变容管C－V曲线拐点存在条件的研究

根据改进的超突变结变容管掺杂分布模型所得到的电容电压方程，对电容变化比较大时变容管的Ｃ－Ｖ曲线可能出现拐点这一现象进行了深入的研究，得出了产生拐点的条件，从而给出了理论上的解释．

根据已知C-V特性确定超突变结变容管设计参数的方法

本文根据新的超突变结电容电压方程，采用数值筛选方法，可方便、快速地确定出已知C－V曲线变容管的几个主要设计参数。

超突变结变容管的模型研究

在改进的超突变结变容管掺杂分布模型的基础上,对超突变结的雪崩击穿电压进行了理论研究,并用二分法得到了通常实用范围的V_b,N_o数据表:同时用牛顿迭代法进行了数值求解,得出了归一化的C-V和W-V数据表.

超突变结变容二极管C-V特性研究

对超突变结器件的杂质分布模型进行了研究并加以改进,导出不同杂质分布的新的电容电压方程,方程中的主要参数与实际工艺参数一致.理论结果与实验曲线符合得很好,证明假设的杂质分布模型是合理的,由此导出的电容电压方程是正确的和实用的.

超突变结变容管的设计模型

通过建立一种超突变结变容二极管的杂质浓度分布模型,并基于求解一维泊松方程、雪崩击穿条件方程和电阻计算公式,推导了该模型的C-V特性、VBR、RS和Q值,设计了用于分析该模型的模拟软件,阐述了模拟软件的运行流程。基于该模型和模拟软件,采用外延-扩散的方法研制了一种硅超突变结变容二极管,采用C-V法测量了外延材料的杂质浓度分布,结果表明材料的浓度分布与模拟结果相符。研制的变容二极管的主要参数：击穿电压VBR为50~55 V;电容变化比（C-4V/C-8V）为2.42~2.44;VR=-4 V,f=50 MHz时的品质因素Q为150~180,实测参数与模拟结果吻合得很好。设计模型和模拟软件得到了验证。

基于TCAD工具的超突变结变容二极管设计

根据超突变结变容二极管设计和工艺特点,报道了利用SILVACO公司工艺模拟软件Athena、器件模拟软件Atlas等完成超突变结变容二极管的几何结构、浓度分布、工艺参数、电学参数等的设计,根据设计参数通过某型号Si超突变结变容二极管生产情况验证设计参数和电参数的吻合情况,改进实际工艺参数和模拟参数的容差系数;分别利用离子注入-扩散法和双离子注入法完成器件工艺制作,提高了的工艺重复性和成品率。采用TCAD技术大大缩短了研制周期、降低了费用。

超突变结变容二极管的杂质浓度分布及n值

讨论了国产和进口超突变结变容二极管的杂质浓度分布和n值。

超突变细胞在进化工程中的开发与应用

通过进化工程技术改造微生物细胞的生理表型是生物技术和生物炼制领域的重要研究方向,但是现阶段的各种进化工程技术面临效率低或连续性差的问题。超突变细胞能够进行自发、连续的胞内诱变,将其应用于进化工程技术能够实现连续、高效的菌种改造。本文详细介绍了自然界中超突变细胞产生的遗传机制和相应的人工超突变细胞的构建策略,以及应用此类超突变系统在微生物细胞生理性能改造和蛋白质突变体文库高效构建上取得的进展。随着相关领域认识和技术的加强,未来人工超突变细胞的构建将继续向着不同维度上可控性、靶向性不断提高的方向发展,从而为细胞和蛋白的改造提供更强更优的进化动力。

肿瘤原位液中肿瘤来源DNA实时监测脑胶质母细胞瘤术后替莫唑胺诱导超突变的临床应用价值

目的:探讨脑肿瘤原位液(tumor in situ fluid,TISF)来源的肿瘤DNA(tumor-derived DNA)测序实时监测脑胶质母细胞瘤(GBM)术后替莫唑胺(temozolomide,TMZ)诱导超突变的临床应用价值。方法:收集2019年3月至2021年6月于我院神经外科接受诊治的21例GBM患者的肿瘤组织标本及术后TMZ辅助治疗期间的TISF标本和CSF标本,共50个样本(4个CSF、19个组织标本、27个TISF),从TISF和CSF中提取无细胞DNA(cell-free DNA,cfDNA)进行肿瘤来源DNA靶向测序,表征脑胶质母细胞瘤术后基因组景观,并与肿瘤组织标本测序结果对比,鉴定出在术后TMZ辅助化疗期间基因组发生超突变的GBM患者。结果:21例GBM患者平均年龄(53.2±13.5)岁,18例为IDH野生型,3例为IDH突变型,初始MGMT甲基化均阳性。共检测到67个不同基因的785个突变,每个个体平均突变数为15.7,最常见的改变基因为TP53(35%)、NF1(33%)、TSC2(29%)、PTEN(27%)、PTCH1(23%),最常见的突变类型是错义突变(65%),其次是多重突变(13%)和移码突变(12%)。与初始肿瘤组织标本测序结果对比,共有2例患者经TISF肿瘤来源DNA测序检测出在用药期间发生基因组超突变,并证实为TMZ诱导产生的超突变。结论:通过TISF肿瘤来源DNA在体动态监测,可实时在体表征脑胶质母细胞瘤术后肿瘤基因景观及监测替莫唑胺诱导的超突变,通过基因组分析,早期发现肿瘤耐药,提示临床调整后续治疗方案。

体细胞超突变与B细胞淋巴瘤

对免疫球蛋白基因超突变的分析让人们对各种B细胞及其肿瘤发生发展有了更深刻的认识。目前公认的是,生发中心前B细胞不含体细胞超突变,而生发中心B细胞和生发中心后B细胞(记忆性B细胞和浆细胞)表现出体细胞超突变。如果肿瘤性B细胞的免疫球蛋白超突变存在于肿瘤的发展中,那么连续获得的突变有可能导致肿瘤细胞行为的改变。一些原癌基因:bc l-6,bc l-2,c-myc也可发生体细胞超突变,与各种恶性淋巴瘤的发生相关联。对上述基因的体细胞超突变机制的共性以及它们相互之间是否有关联尚在深入研究中。

乙肝病毒G至A的超突变

据医学空间网3月24日报道(原载Hepatology 2005 Mar；41(3)：626—33)，HIV-1 的G至A超突变受到一种脱氨酶APOBEC3G的诱导，并与宿主的抗病毒防御机制有关。此酶能通过一种未知的机制来减少HIV-1的复制，同时发现这种酶也能减少乙肝病毒的产生，但其发生作用的机制亦未十分明确。用常规的分析方法很难发现HBV的超突变。

超突变P—n结的容——压特性

一、引言任何一个P—n结都具有电容效应,其电容均随外加电压而变。超突变P—n结的电容灵敏地依赖于反向电压,因此,其电容一电压指数n大于突变结。超突变结变容二极管是用超突变P—n结构成的器件,它作为一个可变电容器而用于调谐电路中。近十几年来,由于这种用变容管作调谐元件的电调技术迅速发展,促使人们对超突变P—n结的容—压特性进行广泛、深入的研究。研究工作大体上从两方面进行。

离子注入硅超突变结变容管的试制

我们试制的变容二极管,用于电视接收机高频头线路中作调频元件。根据使用要求,其主要参数是:电容变化比C-3v/C-30v≥6,在50 MHz下,品质因数Q-3v≥50（直读数）,反向偏压VB=30伏时,漏电流IB≤1μA。四只管子配套使用,故管子电参数的一致性要好。为满足电容变化比的要求,需采用超突变结的杂质分布,即杂质浓度随着与结距离的增加而降低。为此,需要在均匀掺杂的硅材料中形成浓度不断下降的区域一衰减区。在制造器件时,用普通的扩散法形成的衰减区,掺杂浓度往往不易控制,因此,我们采用离子注入一扩散的方法,较精确地控制了衰减区的掺杂。

野生型、超突变子大肠杆菌PFGE分型及大肠杆菌超突变子发生的分子基础

采用长片段PCR、Western-blotting、质粒互补试验对大肠杆菌野生型和超突变子的MMR重要组分MutS进行了研究。为测定mutS可能的缺失,参照fhlA-mutS-rboS基因簇,在mutS的两侧及中间设计3对引物进行长片段PCR扩增,以K12为模式菌株,其mutS各片段与预期的大小相同,3条片段长度分别为12 045,10 668,8 477 bp;超突变子CE3101和CE5116与K12相比,3条片段均存在不同程度的缺失:第1条带分别缺失约3 500 bp和7 000 bp;第2条带分别缺失约3 600 bp和7 400 bp;第3条带分别缺失约2 500 bp和7 500bp。采用Western-blotting方法对大肠杆菌K12、正常菌株、超突变子的MutS蛋白检测结果表明,大肠杆菌K12的条带最为清晰,MutS蛋白最为完整;其次为CE1112、CE1305、CE2219、CE2307,条带较为清晰,MutS蛋白较为完整;CE5103、CE5120条带较为模糊,CE2205只有1条微弱的条带,MutS蛋白不完全完整;而超突变子CE3101、CE5116几乎没有条带,MutS蛋白不完整。以pBR322质粒对照,采用pBR322构建的mutS+的pGW1811质粒进行质粒互补试验,CE1117、CE3101、CE1305、CE5116、CE6107、CE2313、CE7301、K12等8株菌株转化成功。转入pGW1811前后各株大肠杆菌对利福平(RIF)的突变频率及抑制率测定表明,菌株CE1117、CE1305、CE6107、CE2313及K12在转入pGW1811前后对RIF的突变频率变化不大(40%);而突变子CE3101、CE5116、CE7301在转入pGW1811前后对RIF的突变频率变化较大(>95%)。以上试验结果表明,与野生型大肠杆菌相比,超突变子大肠杆菌的MutS均存在缺陷,说明大肠杆菌超突变子发生的分子基础是其MMR系统重要组分MutS存在缺陷。

陆地棉超矮杆突变性状质量遗传规律分析

分析了陆地棉超矮突变体的质量遗传规律,结果显示,该性状是受一对完全隐性基因控制的质量性状;在国内外未见陆地棉中同类突变的报道,暂将它的基因符号定为du。该突变体在自然条件下生长,最终株高仅10.5cm,不能正常开花、结铃和吐絮;但通过外源激素处理,最终株高可以达57.8cm,并能正常结铃吐絮。