Ag在Si(001)-(2×1)表面化学吸附的第一性原理研究

用紧束缚下的Muffin-tin轨道线性组合方法研究了0.5个单层Ag原子在Si(001)-(2×1)表面的化学吸附.计算了Ag原子在不同位置时吸附体系的能量.结果表明,Ag原子在cave位时吸附最稳定,在Ag/Si(001)界面不存在Ag-Si混合层,Ag/Si(001)界面为突变界面.同时对电子转移情况和层投影态密度进行了研究.

Au钝化Si(100)表面的电子特性

用TB -LMTO方法研究单层的Au原子在理想的Si(10 0 )表面的化学吸附。计算了Au原子在不同位置的吸附能 ,吸附体系与清洁Si(10 0 )表面的层投影态密度 ,以及电子转移情况。结果表明 ,Au原子在吸附面上方的A位 (顶位 )吸附最稳定 ,Au钝化Si(10 0 )表面可以取得明显的钝化效果 ,这一结论与实验事实相符合。

S钝化GaAs(100)表面的电子特性

用TB LMTO方法研究单层的S原子在理想的GaAs(1 0 0 )表面的化学吸附 ,对GaAs(1 0 0 )表面是Ga 和As 中断两种情况分别进行考虑 .计算了S原子在不同位置的吸附能、吸附体系与清洁的GaAs(1 0 0 )表面的层投影态密度 ,以及电子转移情况 .结果表明 ,两种情况下S原子都是桥位吸附最稳定 ,S Ga相互作用比S As稍强 ,S钝化GaAs(1 0 0 )

Ag在Si(100)表面化学吸附特性研究

本文应用自洽TB-LMTO方法研究银原子在理想Si(100)表面的化学吸附,计算不同位置的吸附能量(Ead),发现相比Si(100)表面其他吸附位置而言被吸附的银原子更趋附于C位置(四重位),在Ag原子和表面Si原子之间形成极性共价健,在Ag-Si(100)界面不存在Ag和Si的混合层而是形成突变界面,这与实验结果是一致,计算了层投影态密度并与清洁表面比较,对电子转移情况也进行了研究.相对Au/Si(100)而言,Ag和Si相互作用比Au和Si相互作用要弱.