一种-100dB电源抑制比的非带隙基准电压源

该文提出一种非带隙基准电路，通过一个带超级源极跟随器的预调制电路提供一个稳定的电压，为基准核心电路供电。超级源极跟随器通过降低基准核心电路电源端的对地阻抗，有效提高了基准电路的电源抑制能力。该基准电路采用0．35umCMOS工艺设计并流片，测试结果表明，该电路的工作电源电压为1．8μV，静态电流约为13μA。低频处电源抑制比（PSRR）约等于-100dB，在小于1kHz频率范围内PSRR均优于-93dB。并且其片上面积仅为0．013mm2。

一种高压、低功耗、瞬态响应增强型CMOS线性稳压器(英文)

提出了一种用于电源管理系统的高电压、低功耗CMOS线性稳压器。通过使用所提出超级源极跟随器,位于功率管栅极的内部非主极点能够很容易地被推到单位增益带宽以外而不消耗大的静态电流,因此,有效减小了内部补偿电容;通过使用动态频率补偿技术,稳压器能在整个负载电流范围内稳定。提出的超级源极跟随器通过在功率管栅极处增加充电通道和放电通道改善了瞬态响应。该方法在降低功耗的同时,得到了快速且安全的上电瞬态响应和快速的负载变化瞬态响应.使用0.5μm高压n阱CMOS工艺,外接R_(ESR)为10 mΩ的0.47μF负载电容时,仿真发现,该稳压器表现出良好的稳定性和瞬态响应,而仅消耗10μA的静态电流.

无片外电容LDO的补偿方法研究

无片外电容LDO器件无法通过片外电容提供频率补偿和瞬态稳压,为了弥补由此带来的器件在稳定性和瞬态特性上的缺陷,需要额外设计补偿电路。研究选用普通源极跟随器作为一种结构简单的缓冲器,作为补偿手段,以提高无片外电容LDO的功能表现。补偿电路通过SMIC 0.18μm CMOS工艺实现,基于对普通源极跟随器的特性的理论分析,进一步设计出超级源极跟随器。通过理论分析与电路仿真,综合研究了无缓冲器、普通源极跟随器、超级源极跟随器三种情况对LDO特性的影响。