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LB技术制备大面积超薄PMMA抗蚀层的研究
1
作者
顾宁
钱峰
+7 位作者
洪庆月
陆祖宏
于向东
彭力
张仲毅
赵丽新
张海平
刘永宽
《微细加工技术》
1996年第2期39-43,共5页
采用自行研制的LB自动提膜装置,制备出大面积(10×8cm2)、高质量的PMMA超薄抗蚀剂膜,并将其用于高分辨率铬掩模版的研制。通过电子束曝光,湿法蚀刻,制作了分辨率优于0.5μm,特征线宽0.38μm的4(10...
采用自行研制的LB自动提膜装置,制备出大面积(10×8cm2)、高质量的PMMA超薄抗蚀剂膜,并将其用于高分辨率铬掩模版的研制。通过电子束曝光,湿法蚀刻,制作了分辨率优于0.5μm,特征线宽0.38μm的4(100mm)铬掩模版。
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关键词
掩模
制造
超薄抗蚀层
半导体器件
电子束曝光
下载PDF
职称材料
LB膜抗蚀层在光刻中的应用
2
作者
顾宁
鲁武
+4 位作者
陆祖宏
于向东
彭力
张仲毅
刘永宽
《微电子技术》
1996年第4期23-27,共5页
本文概述了LB超薄抗蚀层用于光刻研究的历史及现状,指出:发展实用化的LB超薄抗蚀层技术对于微电子工业中深亚微米乃至纳米水平的微细加工具有重要的意义。
关键词
超薄抗蚀层
光刻
LB膜
IC
半导体器件
下载PDF
职称材料
题名
LB技术制备大面积超薄PMMA抗蚀层的研究
1
作者
顾宁
钱峰
洪庆月
陆祖宏
于向东
彭力
张仲毅
赵丽新
张海平
刘永宽
机构
东南大学分子与生物分子电子学国家教委开放实验室
出处
《微细加工技术》
1996年第2期39-43,共5页
基金
国家八五攻关任务
文摘
采用自行研制的LB自动提膜装置,制备出大面积(10×8cm2)、高质量的PMMA超薄抗蚀剂膜,并将其用于高分辨率铬掩模版的研制。通过电子束曝光,湿法蚀刻,制作了分辨率优于0.5μm,特征线宽0.38μm的4(100mm)铬掩模版。
关键词
掩模
制造
超薄抗蚀层
半导体器件
电子束曝光
Keywords
fabrication mask
ultrathin resist layer
Langmuir-Boldgett (LB)film
submicron lithography
electron beam lithography
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
LB膜抗蚀层在光刻中的应用
2
作者
顾宁
鲁武
陆祖宏
于向东
彭力
张仲毅
刘永宽
机构
东南大学分子与生物分子电子学实验室
无锡华晶电子集团公司掩模工厂
出处
《微电子技术》
1996年第4期23-27,共5页
文摘
本文概述了LB超薄抗蚀层用于光刻研究的历史及现状,指出:发展实用化的LB超薄抗蚀层技术对于微电子工业中深亚微米乃至纳米水平的微细加工具有重要的意义。
关键词
超薄抗蚀层
光刻
LB膜
IC
半导体器件
分类号
TN405.7 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
LB技术制备大面积超薄PMMA抗蚀层的研究
顾宁
钱峰
洪庆月
陆祖宏
于向东
彭力
张仲毅
赵丽新
张海平
刘永宽
《微细加工技术》
1996
0
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职称材料
2
LB膜抗蚀层在光刻中的应用
顾宁
鲁武
陆祖宏
于向东
彭力
张仲毅
刘永宽
《微电子技术》
1996
0
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职称材料
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