关于NO氮化SiO_2超薄栅介质膜的研究

研究了采用ＮＯ快速热氮化ＳｉＯ２膜的方法制备超薄栅介质膜，并初步制备出约５ｎｍ超薄栅的ＭＯＳ电容和约６ｎｍ超薄栅的ＮＭＯＳＦＥＴ，ＮＯ氮化改善了超薄ＳｉＯ２膜的性能。

用于ULSI电路的超薄栅介质膜研究

制备出６～７ｎｍ超薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ。通过对器件性能的研究发现，适当条件下用Ｎ２Ｏ制备的超薄ＳｉＯｘＮｙ膜比ＳｉＯ２膜更适合于ＵＬＳＩ的应用。