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各向异性基底上超薄膜生长的计算机模拟 被引量:7
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作者 顾菊观 叶阳 吴锋民 《浙江工业大学学报》 CAS 2000年第1期31-36,共6页
通过改变原子沿不同方向的扩散概率P ,原子在基底上的扩散步数W及沿周界的扩散步数W′,得到与实验结果一致的分形生长、枝晶状生长、团状生长等生长形态和“台阶流动”
关键词 各向异性 基底 超薄膜生长 计算机模拟 分形生长
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超薄膜生长的Monte-Carlo研究 被引量:23
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作者 魏合林 刘祖黎 姚凯伦 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期791-796,共6页
利用Monte Carlo(M C)模型研究了薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度之间的关系 .模型中考虑了原子沉积、吸附原子扩散和蒸发等过程 ,与以前模型不同的是我们用Morse势计算粒子之间的相互作用 ,并详细考虑了临近和次临近... 利用Monte Carlo(M C)模型研究了薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度之间的关系 .模型中考虑了原子沉积、吸附原子扩散和蒸发等过程 ,与以前模型不同的是我们用Morse势计算粒子之间的相互作用 ,并详细考虑了临近和次临近原子的影响 .结果表明 ,随基底温度的升高 ,岛的形貌经历了一个从分形生长到凝聚生长的变化过程 .进一步研究表明 ,岛的形貌与基底的形貌之间的关系随着基底温度的升高有很大的变化 ,基底温度低时 ,岛的形状与基底形貌无关 ,高温时岛具有与基底形貌相似的结构 .这些结果与实验结果一致 .为了进一步说明岛的生长与基底温度之间的关系 ,还计算了岛的平均尺寸随基底温度的变化 ,结果很明显 ,岛的平均尺寸随基底温度的升高而降低 .发现在岛的生长过程中存在一个从分形岛生长到凝聚生长的转变温度区 . 展开更多
关键词 超薄膜生长 蒙特卡罗 形貌 尺寸 基底温度
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A direct atomic layer deposition method for growth of ultra-thin lubricant tungsten disulfide films 被引量:2
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作者 SUN YongFeng CHAI ZhiMin +1 位作者 LU XinChun HE DanNong 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第1期51-57,共7页
We describe a direct atomic layer deposition method to grow lubricant tungsten disulfide (WS2) films. The WS2 films were deposited on a Si (100) substrate and a zinc sulfide (ZnS) film coated the Si (100) subs... We describe a direct atomic layer deposition method to grow lubricant tungsten disulfide (WS2) films. The WS2 films were deposited on a Si (100) substrate and a zinc sulfide (ZnS) film coated the Si (100) substrate using tungsten hexacarbonyl and hydrogen sulfide as precursors. The ZnS film served as an intermediate layer to facilitate the nucleation and growth of the WS2 films. The thickness of the WS2 films was measured via scanning electron microscope, the microstructure was probed with an X-ray diffractometer and a transmission electron microscope. The friction coefficient was measured with a ball-on-disk tester under dry nitrogen. The results reveal that the WS2 films deposited on both substrates are N175 nm and have (002) and (101) crystal orientations. The WS2 film deposited on the ZnS coated Si substrate exhibits a stronger (002) orientation and a denser crystal structure than that deposited on the Si substrate. The WS2 films on both substrates have low friction coefficients. How- ever, due to the stronger (002) orientation and denser crystal structure, the friction coefficient of the WS2 film deposited on ZnS coated Si substrate is smaller with longer wear life. 展开更多
关键词 atomic layer deposition tungsten disulfide crystal orientation FRICTION
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