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溶剂蒸汽压对溶液法制备PVP绝缘膜的影响
1
作者
刘泉水
韩先虎
+1 位作者
钱峰
钟传杰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期202-206,共5页
利用溶剂蒸汽辅助旋涂和辅助退火(SVA)工艺制备了PVP栅绝缘膜,并研究了SVA过程中溶剂蒸汽压对PVP膜特性的影响。根据椭偏光谱的柯西模型和有效介质近似(EMA)模型,对椭偏谱参数拟合分析得到了PVP膜光学参数与其微结构的关系。拟合结果表...
利用溶剂蒸汽辅助旋涂和辅助退火(SVA)工艺制备了PVP栅绝缘膜,并研究了SVA过程中溶剂蒸汽压对PVP膜特性的影响。根据椭偏光谱的柯西模型和有效介质近似(EMA)模型,对椭偏谱参数拟合分析得到了PVP膜光学参数与其微结构的关系。拟合结果表明,随着蒸汽压的增大,PVP膜总厚度(均小于30nm)和粗糙层厚度均降低,膜致密性得到改善。由这种膜构成的MIS结构的J-V特性测试结果显示,当蒸汽压由0.21增加至0.82时,在电场为5 MV/cm的条件下,其漏电流密度由1.04×10-6 A/cm2降至1.42×10-7 A/cm2。而且在蒸汽压为0.82时可得到膜厚仅约为20nm、单位面积电容达到145nF/cm2的超薄PVP膜。
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关键词
超薄pvp膜
溶剂蒸汽辅助退火
溶剂蒸汽压
椭偏光谱
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职称材料
题名
溶剂蒸汽压对溶液法制备PVP绝缘膜的影响
1
作者
刘泉水
韩先虎
钱峰
钟传杰
机构
江南大学物联网工程学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期202-206,共5页
基金
国家自然基金资助项目(60776056)
文摘
利用溶剂蒸汽辅助旋涂和辅助退火(SVA)工艺制备了PVP栅绝缘膜,并研究了SVA过程中溶剂蒸汽压对PVP膜特性的影响。根据椭偏光谱的柯西模型和有效介质近似(EMA)模型,对椭偏谱参数拟合分析得到了PVP膜光学参数与其微结构的关系。拟合结果表明,随着蒸汽压的增大,PVP膜总厚度(均小于30nm)和粗糙层厚度均降低,膜致密性得到改善。由这种膜构成的MIS结构的J-V特性测试结果显示,当蒸汽压由0.21增加至0.82时,在电场为5 MV/cm的条件下,其漏电流密度由1.04×10-6 A/cm2降至1.42×10-7 A/cm2。而且在蒸汽压为0.82时可得到膜厚仅约为20nm、单位面积电容达到145nF/cm2的超薄PVP膜。
关键词
超薄pvp膜
溶剂蒸汽辅助退火
溶剂蒸汽压
椭偏光谱
Keywords
ultra-thin polyvinyl pyrrolidone(
pvp
)film
solvent vapor annealing
solvent vapor pressure
spectroscopic ellipsometry
分类号
TN386.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
溶剂蒸汽压对溶液法制备PVP绝缘膜的影响
刘泉水
韩先虎
钱峰
钟传杰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
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