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制造大面积超长钨发射体阵列W-UFEA的光电子学方法
被引量:
2
1
作者
刘光诒
朱世棋
+3 位作者
吕庆年
金能文
王德安
刘金声
《电子器件》
CAS
1994年第3期42-46,共5页
本文简单介绍用光电子学拉丝法制造大面积非门控(或门控)超长金属杆状阵列场发射阴极UFEA(Ultra-LongFieldEmissionArray)的初步实验结果。
关键词
光电子学
阵列场发射体
超长钨
制造
下载PDF
职称材料
题名
制造大面积超长钨发射体阵列W-UFEA的光电子学方法
被引量:
2
1
作者
刘光诒
朱世棋
吕庆年
金能文
王德安
刘金声
机构
中国科学院电子学所
出处
《电子器件》
CAS
1994年第3期42-46,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文简单介绍用光电子学拉丝法制造大面积非门控(或门控)超长金属杆状阵列场发射阴极UFEA(Ultra-LongFieldEmissionArray)的初步实验结果。
关键词
光电子学
阵列场发射体
超长钨
制造
Keywords
Optoelectronic method,field emitter array FFA,tungsten ultra Iong field emitterarray W- UFEA.Research Sponsored by the Chinese NSFC
分类号
TN201 [电子电信—物理电子学]
TN105 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
出处
发文年
被引量
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1
制造大面积超长钨发射体阵列W-UFEA的光电子学方法
刘光诒
朱世棋
吕庆年
金能文
王德安
刘金声
《电子器件》
CAS
1994
2
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职称材料
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