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制造大面积超长钨发射体阵列W-UFEA的光电子学方法 被引量:2
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作者 刘光诒 朱世棋 +3 位作者 吕庆年 金能文 王德安 刘金声 《电子器件》 CAS 1994年第3期42-46,共5页
本文简单介绍用光电子学拉丝法制造大面积非门控(或门控)超长金属杆状阵列场发射阴极UFEA(Ultra-LongFieldEmissionArray)的初步实验结果。
关键词 光电子学 阵列场发射体 超长钨 制造
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