利用STM制作有机LB膜超高密度存储器

利用有机材料制作高密度存储器是当前纳米电子学研究的一个热点.有机LB膜的有序分子排列和能精确控制厚度的膜层被认为是高密度存储器理想的基体.具有原子分辨率及纳米量级局域作用微区的扫描隧道显微镜(STM)的出现则提供了制作超高密度存储器一种有力的高技术手段.本文介绍利用STM在有机LB膜上制作超高密度存储器.以硬脂酸制备多层LB膜,其形貌由STM成像.施加于STM针尖上的脉冲偏压,在LB膜表面的局域区域产生足够的强电场,使该微区转换为低阻导电状态,以高、低阻态分别表示两种逻辑状态,就完成了一次"写入"操作.LB膜材料的高、低阻态由STM的伏安特性(I-V)和扫描隧道谱(dI/dV-V)加以表征.用幅值较小的脉冲实现"读出"操作.该材料LB膜上存储的信息能保持很长时间,显示了潜在的应用前景.

我科学家突破光盘超高密度存储技术

中国科学家在超高密度存储技术理论研究和实验中取得具有国际先进水平的成果,研制出比现有光盘信息容量高一百万倍的高密度信息存储技术。 中国科学院物理研究所高鸿钧研究员领导的研究小组,将信息存储点的大小已减小到一纳米左右,即一厘米的百万分之一,并可进行信息点的擦除。

p-nitrobenzonitrile纳米有机薄膜的超高密度信息存储研究

采用扫描隧道显微镜 (STM)在p nitrobenzonitrile(PNBN)单体有机薄膜上进行信息记录点的写入研究。通过在STM针尖和高定向裂解石墨 (HOPG)衬底之间施加一系列的电压脉冲进行信息记录点的写入 ,得到了一个信息点点径小于 1nm ,对应存储密度高达 1 0 13 bit cm2 的信息存储点阵。电流-电压 (I-V)曲线表明 ,薄膜上非信息点存储区域是高电阻区 ,而信息点存储区域是导电区 ,具有 0-1信息存储特性。PNBN单体有机薄膜的存储机制可能是规则排列的PNBN分子在强电场作用下由有序向无序的转变 ,使得薄膜的电阻由高阻态向低阻态转变 。

超高密度信息存储材料及技术研究进展

信息技术的飞速发展,要求不断开发出具有更高信息存储密度及更快响应速度的材料和器件,因而在纳米尺寸上实现信息存储功能的新型超高密度信息存储材料已成为当前信息领域一个发展速度快、学科交叉多、竞争十分激烈的研究热点,简要介绍了近年来该领域主要的研究方法,并着重对利用扫描隧道显微镜/原子力显微镜(STM/AFM)写入信息的存储材料的最新研究进展进行了综述。

超高密度光存储技术

文章从三维体存储和近场光存储两个方向介绍了超高密度光存储技术。三维体存储包括:体全息数据存储、双光子吸收存储和多层存储。体全息数据存储容量大、寻址快、存储寿命长;双光子吸收存储也属于多层记录存储,存储形式多样,本文以光致色变光存储为例进行讨论。海量存储的另一个研究方向是近场光存储,该技术与传统光存储显著的区别在于:用纳米尺寸的光学探针距记录介质纳米距离实现纳米尺寸光点的记录,从而实现超高密度光存储。文章最后对超高密度光存储发展及应用趋势进行了阐述。

对一种新型全有机复合薄膜的超高密度信息存储研究

用真空热壁法生长了一种新型全有机复合薄膜TTF/m NBP(tetrathiofulvalene/m ni trobenzylidenepropanedinitrile)。用透射电子显微镜和傅立叶变换红外光谱对薄膜的表征结果证明 ,该制备方法能够生长出较大面积的化学结构完善的单晶薄膜。用原子力显微镜 (AFM )和扫描隧道显微镜 (STM )都观察到了TTF/m NBP薄膜表面的原子级分辨像。通过STM针尖施加脉冲电压在TTF/m NBP薄膜上实现了纳米级的信息存储 ,最小记录点直径约为 1 2nm。扫描隧道谱分析表明TTF/m NBP薄膜具有很好的电开关“记忆”特性。初步研究认为其电开关机制可能主要是脉冲电压诱发的TTF电子给体与m NBP电子受体分子间的电荷转移的变化所致。

实现超高密度信息存储的最新进展

超高密度信息存储是信息科学发展的基石 ,本文综述了超高密度信息存储的材料及技术等方面的目前的研究进展。

基于超高密度信息存储薄膜制备的研究进展

信息技术的发展要求存储器件必须具备超高存储密度、超快的存取速率。存储介质是高密度信息存储研究中的基本问题,目前几乎所有的超高密度存储技术都是在薄膜介质上实现的。薄膜的性质除依赖于存储介质材料外还依赖于薄膜的制备技术。从存储介质薄膜的制备角度介绍了超高密度信息存储的研究进展。

中科院化学所：又发现一种超高密度信息存储材料

近日，中国科学院化学研究所有机固体院重点实验室与瑞士苏黎世理工学院及中科院物理所合作，在利用具有推拉电子基团的分子晶态薄膜进行超高密度信息存储研究方面取得了新的进展。

铁电材料或可实现超高密度信息存储

日前从中国科学院金属研究所获悉．该所研究员马秀良研究团队与合作者在铁电材料中发现通量全闭合畴结构．或让铁电材料实现超高密度信息存储。铁电材料是指在外加电场的作用下，其电极化方向可以发生改变的一类材料，如钛酸铅、钛酸钡等材料。铁电存储器具有功耗小、读写速度快、寿命长与抗辐照能力强等优点。但是不能做到非常小的存储单元，很难达到高密度存储的需求。

物理所超高密度信息存储材料研究获系列进展

近日，中国科学院物理所纳米物理与器件实验室高鸿钧研究组及其合作者，在纳米信息存储材料与稳定重复的超高密度信息存储研究方面取得了一系列进展。首次在Rotaxane分子同态薄膜中实现了分子导电性的转变和超高密度信息存储，为超高密度信息存储研究提供了一类新型的材料，结果发表在J．Am．Chem．Soc．。设计合成了一类物理化学性质稳定、具有强电子给体和受体的有机分子TDMEE，为分子电子器件的材料设计和结构控制提供了一条新思路，结果发表在Advanced．不断完善纳米信息存储材料的功能是当今信息科学的重要研究方向。这类材料需具备更高的存储密度、

高密度光存储技术展望

超高密度光存储技术是新近兴起的重要信息存储技术。本文介绍了近年来超高密度数字光存储新材料和新技术,进一步讨论了超高密度光存储技术的发展前景。

纳米技术助力高密度存储

最近，中国科学院物理研究所和化学研究所在纳米信息存储材料领域再获突破。在原来工作的基础上，他们成功地在H2 Rotaxane分子薄膜中实现了可逆的电导变化和可擦除、稳定的、可重复使用的接近单分子尺度的纳米级存储。具有以上功能的材料及其在信息存储中的应用是超高密度信息存储研究的重要方向之一。

高密度穿梭板式立体仓库总体设计中的问题研究--以泸州老窖穿梭板式立体仓库为例

本文介绍了穿梭板式立体仓库和巷道式堆垛机相结合的存储形式总体设计中需要注意的问题。以泸州老窖穿梭板式立体仓库为研究对象,其设计理念突破了当前巷道式堆垛机立体仓库平面利用率低和“叉车+穿梭板式”高位货架库空间利用率低的瓶颈,将穿梭板和堆垛机巧妙结合,对于产品规格数量较少、存储需求较大的企业有借鉴意义。

提高光盘信息存储的关键技术

本文从光盘的存储密度、数据传输率和超高密度存储三个方面讨论了提高光盘信息存储的关键技术。

基于STM/AFM技术的信息存储材料研究现状及进展

信息技术的发展要求存储器件必须具备超高存储密度、超快的存取速率,因而能在纳米尺度上实现信息存储功能的新型超高密度信息存储材料已经成为信息技术领域的研究热点。简要地介绍了近年来利用扫描隧道显微镜/原子力显微镜(STM/AFM)实现信息写入的纳米信息存储材料的研究进展,并进一步列举了尚待解决的问题。

光学记录、存储与器件

TP333.4 2002053608超高密度信息存储/分子存储及其存储机理=Ultrahighdensity data storage and molecular recording[刊,中]/高鸿钧,时东霞,张昊旭,林晓(中科院物理所凝聚态物理中心.北京(100080))//物理.—2001,30(8).—453-455在有机功能纳米薄膜上通过扫描隧道显微技术实现了超高密度的信息存储。实验与理论计算的结果表明,其存储机理是薄膜的导电性质的变化。

信息存储材料:电子器件从“吉时代”到“太时代”跨越

随着信息技术的飞速发展,人类要处理的信息量与日俱增,要求不断开发具有更高信息存储密度及更快响应速度的材料和器件。如何提高读写速度、实现纳米尺度信息存储是目前迫切要解决的问题。超高密度信息存储是指信息存储密度大于1012比特/平方厘米(1太比特/平方厘米),实现从电子器件从"吉时代"到"太时代"的跨越。与目前市售电子器件的存储密度相比,其信息存储能力堪称惊人。超高密度信息存储材料和器件作为纳米电子学的重要内容之一,将为未来信息技术的发展奠定理论和技术基础。