0603425 塑料真空金属化预处理方法研究=Study of pretreatment methods for vacuum metallization of plastics[刊, 英]／K．De Bruyn,M．Van Stappen／／Electronics Letters．-2003,163．-710-715(E)
Y98-61304-255 9905947利用 TiSi<sub>2</sub>作为浅接触金属化的工艺=Process usingTiSi<sub>2</sub> as a shallow contact metallization[会,英]/Manea,E.& Divan,R.//1997 Proceedings of the Internat...Y98-61304-255 9905947利用 TiSi<sub>2</sub>作为浅接触金属化的工艺=Process usingTiSi<sub>2</sub> as a shallow contact metallization[会,英]/Manea,E.& Divan,R.//1997 Proceedings of the InternationalSemiconductor Conference,Vol.1.—255～258（UV）因为 TiSi<sub>2</sub>的低电阻率和极优的热稳定性,所以它在 BiCMOS 和功率器件中作为互连材料。Ti-Si 的反应是复杂的,其复杂性在某些范围内得到了研究。为了减少应力的影响,必须寻找新的淀积方法。确立了热状态;利用 X 射线粉末衍射计研究了 TiSi<sub>2</sub>的形貌。还使用范得堡测定了其电性能。展开更多
Y2000-62135-149 0020140采用高密度等离子体化学汽相淀积氧化物电介质的窄铝金属化过程中感应金属空隙形成机制=A mecha-nism of stress-indueed metaI void in narrow Aluminum-brised metallization with the HDP CVD oxide dielectr...Y2000-62135-149 0020140采用高密度等离子体化学汽相淀积氧化物电介质的窄铝金属化过程中感应金属空隙形成机制=A mecha-nism of stress-indueed metaI void in narrow Aluminum-brised metallization with the HDP CVD oxide dielectric[会,英]/Lee,S.G.& Oh,H.-S.//1999 IEEE Pro-ceedirigs of Internationai Interconnect Technology Con-ference.-149～151(EC)展开更多
文摘0603425 塑料真空金属化预处理方法研究=Study of pretreatment methods for vacuum metallization of plastics[刊, 英]／K．De Bruyn,M．Van Stappen／／Electronics Letters．-2003,163．-710-715(E)
文摘Y98-61304-255 9905947利用 TiSi<sub>2</sub>作为浅接触金属化的工艺=Process usingTiSi<sub>2</sub> as a shallow contact metallization[会,英]/Manea,E.& Divan,R.//1997 Proceedings of the InternationalSemiconductor Conference,Vol.1.—255～258（UV）因为 TiSi<sub>2</sub>的低电阻率和极优的热稳定性,所以它在 BiCMOS 和功率器件中作为互连材料。Ti-Si 的反应是复杂的,其复杂性在某些范围内得到了研究。为了减少应力的影响,必须寻找新的淀积方法。确立了热状态;利用 X 射线粉末衍射计研究了 TiSi<sub>2</sub>的形貌。还使用范得堡测定了其电性能。
文摘Y2000-62135-149 0020140采用高密度等离子体化学汽相淀积氧化物电介质的窄铝金属化过程中感应金属空隙形成机制=A mecha-nism of stress-indueed metaI void in narrow Aluminum-brised metallization with the HDP CVD oxide dielectric[会,英]/Lee,S.G.& Oh,H.-S.//1999 IEEE Pro-ceedirigs of Internationai Interconnect Technology Con-ference.-149～151(EC)
