In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化

本文研究了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱中激子跃迁能量随Ｉｎ组分的变化．用国产ＧＳＭＢＥ设备生长了五个样品，这五个样品的阱宽均为５ｎｍ，垒宽均为２０ｎｍ，唯一的不同之处是阱层中的Ｉｎ组分不同，Ｉｎ组分从０．３９变化到０．６８．用Ｘ射线双晶衍射及计算机模拟确定出了各样品阱层中实际Ｉｎ组分．用光致发光谱（ＰＬ）、吸收谱（ＡＳ）、光伏谱（ＰＶ）确定出了样品中的激子跃迁能量．对量子阱中的激子跃迁能量随Ｉｎ组分的变化进行了理论计算．结果表明：对给定阱宽的量子阱，随着Ｉｎ组分的增大，量子阱中１１Ｈ和１１Ｌ激子跃迁能量减小．１１Ｈ与１１Ｌ激子吸收峰间距随Ｉｎ组分的变化而变化，对５ｎｍ的量子阱，当ｘ＝０．４２时，ｎ＝１的重、轻空穴量子化能级简并．当ｘ＜０．４２时，１１Ｌ激子跃迁能量小于１１Ｈ激子跃迁能量；当ｘ＝０．４２时，１１Ｌ激子跃迁能量与１１Ｈ激子跃迁能量相等；当ｘ＞０．４２时，１１Ｌ激子跃迁能量大于１１Ｈ激子跃迁能量．

跃迁能量的光滑化与A～150区超形变带的自旋指定

采用ａｂ拟合及其各种改进方案，系统地探讨了Ａ～１５０区超形变带的自旋指定问题．研究表明适当扣除跃迁能量中的振荡起伏后。

半导体量子点中极化子的跃迁能量

研究了半导体量子点中极化子的激发态性质。采用Huybrechts线性组合算符和幺正变换方法,计算了量子点中极化子的振动频率、基态能量、第一激发态能量、由第一激发态向基态的跃迁能量和跃迁频率。分别讨论了电子-LO声子在强弱两种耦合情况下极化子的跃迁能量和跃迁频率。数值计算结果表明,跃迁能量ΔE和跃迁频率ω均随量子点有效受限长度l0的增加而减少,且随电子-声子耦合强度α的增加而减少。

普鲁士蓝和滕氏蓝中电子跃迁能量的计算

在普鲁士蓝和滕氏蓝中电子跳跃的穆斯堡尔谱研究的基础上，通过对普鲁士蓝和滕氏蓝中电子跃迁能量的计算，指出了在上述两种物质中电子跃迁的类型及其所需能量的差异，进而解释了它们颜色的差异．

Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数

考虑压力下势垒高度、激子结合能的改变等诸多因素的影响后数值研究了Ⅱ -Ⅵ族ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数 ,特别是压力系数随阱宽的变化规律。计算表明在SCPA近似下跃迁能量的计算与实验值吻合较好 ,而在压力系数的计算中必须计及材料的体积弹性模量随温度和压力的变化。证实了ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的压力系数随阱宽增大而减小的结论。

中性硅3s^23P^2 ~3P_2,~1D_2→3s3p^3 ~3D_3~o跃迁能量,超精细结构常数与同位素移动的MCDHF计算

本文使用多组态Dirac-Hartree-Fock方法计算了^(29)Si的3s^23p^2 ~3P_2,~1D_2→3s3p^3D_3~0跃迁能量和~3P_2,~3D_3~0超精细结构A常数以及Si同位素^(29)Si,^(30)Si和^(31)Si相对于^(28)Si在3s^23p^2 ~3P_2→3s3p^3 ~3D_3~0跃迁的同位素移动.通过尝试双电子激发(SD)和三电子激发(SDT),分别考虑VV相关,CV相关和CC相关产生各种不同的扩展组态波函数得到的计算结果和实验值的比较,推测了对于中性硅原子这两个组态,内壳层2p2s,1s电子活动到外壳层的概率较小,而3s3p壳层中的电子都比较活跃,但主要是在n=3,4的壳层内活动,活动到更高n壳层的概率则比较小.

GaInNAs/GaAs量子阱结构基态光跃迁的能量

从理论和实验两个方面对GaInNAs/GaAs量子阱结构基态的光跃迁能量进行研究.在理论计算过程中,分别采用电子有效质量近似法和双能级推斥模型计算了GaInNAs合金的电子空穴分立能级的能量及其带隙能,讨论了由应变引起的带隙变化量.将理论计算结果与光致发光的实验结果进行比较,两者符合得很好.并简单分析了N的加入对GaInNAs合金带隙能产生的影响.

氮化物无限抛物量子阱中极化子能量

采用LLP变分法研究氮化物抛物量子阱(GaN/Al0.3Ga0.7N)材料中自由极化子的能级,给出基态能量和基态到第一激发态跃迁能量随抛物量子阱宽度变化的函数关系.研究结果表明,自由极化子基态能量和跃迁能量随着阱宽的增大首先急剧减小,然后缓慢下降,最后接近GaN体材料中的三维值.这些结果在定性上与GaAs/AlxGa1-xAs抛物量子阱中的值相似,但在定量上有所不同.GaN/Al0.3Ga0.7N抛物量子阱中电子-声子相互作用对极化子能量的贡献明显大于GaAs/Al0.3Ga0.7As抛物量子阱中的相应值,因此,讨论氮化物抛物量子阱中的电子态问题时应考虑电子-声子相互作用.

纤锌矿GaN／AlxGa1-xN量子阱中极化子能量

采用LLP变分方法研究了纤锌矿GaN/AlxGa1-xN量子阱材料中极化子的能级,给出极化子基态能量、第一激发态能量和第一激发态到基态的跃迁能量与量子阱宽度和量子阱深度变化的函数关系。研究结果表明,极化子基态能量、第一激发态能量和跃迁能量随着阱宽L的增大而开始急剧减小,然后缓慢下降,最后接近于体材料GaN中的相应值。基态能量和第一激发态到基态的跃迁能量随着量子阱深度的增加而逐渐增加,窄阱时这一趋势更明显。纤锌矿氮化物量子阱中电子-声子相互作用对能量的贡献比较大,这一值(约40meV)远远大于闪锌矿(GaAs/AlxGa1-xAs)量子阱中相应的值(约3meV)。因此讨论GaN/AlxGa1-xN量子阱中电子态问题时应考虑电子-声子相互作用。

近似对称重离子——原子碰撞中KK空穴分配和双电子单光子跃迁能移

在重离子原子碰撞中存在着Ｋ壳层双电离的几率，双Ｋ壳层空穴衰变不仅仅存在着２个电子独立的Ｋα超卫星线的跃迁，而且存在着相关的双电子衰变几率。我们测量了Ｎｉ＋ｑ＋Ｃｕ和Ｃｕ＋ｑ＋Ｚｎ系统是在较高的入射能量下进行的。测量的ＫＫ空穴比仍然能符合Ｌｅｎｎａｒｄ...

MgO晶体中F型色心的电子结构和光学吸收谱研究

运用嵌入原子簇的电荷自洽离散变分方法（ＳＣＣ－ＤＶＭ－Ｘα方法）对ＭｇＯ晶体中Ｆ型色心的电子结构进行了计算，并利用能量最小原理优化了色心格点周围的Ｍｇ，Ｏ离子结构，得到了ＭｇＯ晶体中 Ｆ，Ｆ＋和 Ｆ２＋心的能带，态密度，并讨论了色心的光学跃迁模式。计算结果表明，Ｆ，Ｆ＋和 Ｆ２＋心在 ＭｇＯ晶体的禁带中引入了色心能级，Ｆ和 Ｆ＋心的光学跃迁能分别是 ４． ６７ｅＶ和 ４． ６６ｅＶ，电子从色心激发态跃迁到导带底需要吸收大的光电子跃迁能量。计算结果与实验结果符合较好，说明计算结果是合理的。

Fe对掺钕磷酸盐激光玻璃激光性能的影响

在理论分析的基础上,具体讨论了Fe质量分数小于10-4对1 053 nm处光吸收损耗和Nd3+无辐射跃迁几率的影响规律,发现Fe在1 053 nm处的光吸收损耗和Nd3+无辐射跃迁能量转移都与Fe质量分数成平方关系增长,Fe对1 053 nm光吸收的影响较大而Fe与Nd3+之间的能量转移不足50 Hz。这对生产过程中Fe含量的控制有重要指导意义。

金红石TiO_(2)晶体中F和F^(+)心电子结构及其吸收光谱研究

本文运用嵌入原子簇的电荷自治离散变分方法（SCC－DVM－Xα方法）分别对TIO2晶体中F和F+心的能级结构进行了计算，得到了F和F+心的光学吸收跃迁模式，其跃迁能量分别是0.98、1.78eV.我们认为，经还原后的TiO2晶体，在光吸收实验中测到的1．2μm（1.02eV）、760um（1.75eV）两个峰分别是由于还原过程中形成的F和F+心的吸收峰，并存在着F→F+的转型过程．

^(188)Re β^-衰变纲图的研究

基于前人核能测量数据,研究188Re经β-衰变到达188Os的各低激发态的能级值,及各能级间的跃迁γ分支比,各γ射线的跃迁能量和跃迁强度等.经分析筛选及用新标准重新归一,推荐最佳实验数据,对测量误差采用加权平均法确定;对没有新实验数据的,多采用SingnhB推荐数据;对衰变纲图及其衰变特性不完全自洽,推荐物理量不齐全的,用国际ENSDF评价系统,以原推荐最佳实验数据为基础进行自洽处理与理论计算.该理论计算填补了目前实验数据不足的空缺,给出了一个更合理的188Os能级结构纲图.

高能X射线的硬化校正

根据原子的跃迁能量和能量吸收限,确定了用和靶材料相同的材料做成滤波片,可以很好地吸收靶物质所产生的低能射线,使最初的多色X射线谱近似单色化,并用基于蒙特卡罗方法的Egsnrc软件对硬化校正方案进行了仿真分析,获得了很好的结果。

GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱界面混合效应光荧光谱研究

用分子束外延系统生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子和不同注入剂量的耦合量子阱单元 ,没有经过快速热退火过程 ,在常温下测量了不同单元的显微光荧光谱 ,发现子带间跃迁能量最大变化范围接近 10 0 me V。

强磁场中纳米无机半导体/有机低维复合结构中束缚态的研究

采用最佳微扰的方法,对强磁场中无机半导体/有机低维复合结构中束缚态的跃迁能量在理论上进行了计算.结果表明,在强耦合条件下,这种束缚态的基态与低激发态的跃迁能量是耦合常数和磁场强度的函数,跃迁能量随耦合常数的增加而增大,磁场强度不同时跃迁能量也发生变化,并且质量比σ=me/mh对跃迁能量也有影响.

高能X射线的硬化校正

根据原子的跃迁能量和能量吸收限,确定用与靶材料相同的材料做成滤波片,可以很好的吸收靶物质所产生的低能射线,使最初的多色X射线谱近似单色化,并用基于蒙特卡罗方法的Egsnrc软件对硬化校正方案进行了仿真分析,获得了较好的结果.

纤锌矿GaN/AlN量子阱中的极化子

采用Lee-Low-Pines(LLP)变分法,讨论了纤锌矿(闪锌矿)GaN/AlN无限深量子阱材料中电子-定域长波光学声子相互作用,给出纤锌矿量子阱中自由极化子的基态能量、第一激发态能量和跃迁能量随阱宽的变化关系.数值计算中考虑了纤锌矿材料的各向异性,结果表明,极化子能量随阱宽的增大而减小,当阱宽较宽时,趋近于体材料的三维值.纤锌矿(闪锌矿)GaN/AlN量子阱材料中,电子-定域长波光学声子相互作用对极化子能量的贡献比闪锌矿GaAs/AlAs量子阱材料中的相应值大得多.因此,讨论GaN/AlN量子阱材料中电子态问题时应考虑电子-定域声子相互作用.

构造带石门揭煤诱导突出的力学特性模拟及声发射响应

为揭示地质构造区域石门揭煤诱导突出的机理,运用自行研发的大型三维煤与瓦斯突出模拟试验系统,对石门揭露断层构造带煤层的过程进行了相似模拟,同步采集分析了突出全过程的应力变化规律及揭煤过程的声发射响应规律,并对构造带揭煤突出过程的能量耦合跃迁失稳过程进行了理论分析。结果表明:在构造带掘进巷道的推进过程中,巷道上方的岩层和煤层均会经历应力增大和减小的过程,但构造区域煤层的应力集中系数大于岩层区域,呈现较强的应力敏感性;在开挖时和突出的过程中,声发射信号能较好地反映煤岩动态变化;在巷道掘进过程中,构造区域煤层不断积聚弹性能和瓦斯内能,并相互耦合逐步达到能量的极限平衡状态,一旦揭煤扰动到该系统,就会引起能量的耦合跃迁失稳,从而诱发突出。