H型栅PMOS跨导双峰效应建模

H型栅SOI PMOS结构因为其抗辐照能力强,对称性较好,在SOI电路设计中得到广泛应用。但其跨导在栅电压变化时具有明显的双峰效应,而通用的BSIMSOI模型无法反映出该类器件的跨导双峰效应,为器件特性的仿真和预测带来了挑战。针对此问题,基于BSIMSOI仿真模型,利用子电路定义了两条并联的晶体管沟道,建立了H型栅PMOS结构的SPICE模型。该模型可有效表现SOI工艺下的PMOS器件的双峰效应。实验结果表明,与BSIMSOI相比,该文提出的模型误差均方根值(RMS)从6.91%下降至1.91%,同时,利用BSIMSOI的bin参数后,将W较小尺寸的模型RMS值降低了60%以上,可以良好地适用于SOI工艺H型栅PMOS结构建模和电路设计当中。