一种基于跨导电流比-反型系数-过驱动电压的设计方法

提出了一种基于MOSFET反型系数(Inversion Coefficient)且适合于MOSFET工作在任何反型区的模拟集成电路的设计方法。对于一定工艺的深亚微米模拟集成电路,结合查表法进行的手工估算值与仿真值的误差可控制在±10%左右。该方法尤其适用于低压、低功耗设计。

一种基于gm/I_D参数的运算放大器设计方法

介绍一种基于gm/I_D参数的模拟集成电路设计优化方法,通过建立gm/I_D参数与栅源电压和标准化电流查找表,能够快速确定器件参数,简化计算,缩短设计周期。与传统设计方法相比具有适用于MOS管所有工作区域、满足低功耗要求等优点。基于Cadence Spectre 0.5μm工艺对电路进行设计优化仿真,仿真结果表明,该方法进行的手工估算与仿真值的误差在可接受范围以内,达到设计要求。