跨导系数K_n的可变应用

IC设计中,为计算方便,设计者往往将K_n作为常量使用。这与实际情况不符并会导致设计的电路进行仿真时的结果总与性能指标有一定的差距。本文在仿真基础上,探讨并解释K_n的影响因素。最后针对实际使用的情况,提出在模拟电路设计的定量计算时应合理选取K_n的分区选择法。

射频前端CMOS有源混频器的设计

混频器是射频前端电路中的一个重要模块。设计了一个低电压高增益的下变频混频器,对混频器经典的吉尔伯特电路结构进行了改进,采用跨导系数修正技术、电流注入结构提高混频器的增益、噪声和线性度性能,并且在跨导级的漏极端口并联了一个电感,消除寄生电容,减小间接开关机理闪烁噪声。本电路采用TSMC 180 nm RF CMOS工艺,在1. 2 V的工作电压下,Cadence软件仿真验证表明,射频频率为2. 4 GHz,本振频率为2. 39 GHz,中频频率为10 MHz时,所设计的混频器的转换增益为28. 4 d B,噪声系数为8 d B,线性度(输入三阶交调点IIP3)为10 d Bm,功耗为6. 86 mW,混频器的整体性能指标均得到了提高,满足射频前端的应用需求。