射频MOS管的非线性特性分析与线性度提高技术

基于射频（RF） MOS管的等效电路及非线性等效模型,采用Agilent公司ADS软件中的Symbolically Defined Device（SDD）,对RF MOS管的非线性特性进行了综合分析.在此基础上,针对栅源电容（Cgs）、跨导（gm）、输出导纳（gds）和漏极结电容（Cjd）四个主要非线性源,提出了多栅晶体管补偿、PMOS管补偿、NMOS管补偿、共栅管栅电容补偿、深N阱和二次谐波短路等线性度提高技术.将这些线性度提高技术应用在射频功率放大器（PA）上,该PA采用TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺设计,仿真结果表明：采用线性度提高技术后,该功率放大器的线性度提高了4-10 dB.