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新型高增益CMOS跨导运算放大器 被引量:7
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作者 凡东东 宋树祥 +1 位作者 蒋品群 岑明灿 《广西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2014年第4期6-10,共5页
为了解决在低电压、深亚微米工艺条件下获得高增益运算放大器的问题,通过引入电流倍增和分流技术,提出了一种新型高增益可调的跨导运算放大器(OTA)。在1.8V工作电源下采用0.18μm COMS标准工艺对其进行Spectre模拟,结果表明,该OTA的直... 为了解决在低电压、深亚微米工艺条件下获得高增益运算放大器的问题,通过引入电流倍增和分流技术,提出了一种新型高增益可调的跨导运算放大器(OTA)。在1.8V工作电源下采用0.18μm COMS标准工艺对其进行Spectre模拟,结果表明,该OTA的直流开环增益在61dB至91dB可调,最大静态功耗为434μW,最小共模抑制比为114dB。所提出的跨导运放与传统OTA相比,具有高增益和增益可调的优点,可适用于通信、电子测量,以及自动控制等系统。 展开更多
关键词 CMOS 跨导运放 电流处理 高增益
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可调频率跨导电容Chebyshev滤波器的设计及仿真 被引量:2
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作者 江金光 王耀南 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 2006年第6期81-86,共6页
首先提出了一种新的跨导运放,其输入级采用了工作在线性区的MOS管作源极负反馈有源电阻实现其良好的线性度,输出级采用折叠式结构,并在电路中引入电压共模负反馈(CMFB)稳定其静态工作点。接着提出了一种新的利用开关电容技术调节跨导运... 首先提出了一种新的跨导运放,其输入级采用了工作在线性区的MOS管作源极负反馈有源电阻实现其良好的线性度,输出级采用折叠式结构,并在电路中引入电压共模负反馈(CMFB)稳定其静态工作点。接着提出了一种新的利用开关电容技术调节跨导运放偏置电流值大小的电路,应用该电路可以精确调节跨导运放Gm值的大小,应用这些电路设计得到了四阶Chebyshev低通滤波器,并实现其频率的精确可调,0.35μm2层多晶硅,4层金属CMOS工艺Spicemodel仿真结果表明设计正确、有效。 展开更多
关键词 跨导运放 源级负反馈 电压共模负反馈 电容滤波器 Chebyshev滤波器
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一种高速高灵敏度的光电耦合器 被引量:2
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作者 田磊 来新泉 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期221-224,共4页
研制了一种高速高灵敏的光电耦合器芯片,其中含有以Nwell-Pepitaxial-Psubstrate为模型的光电探测器(PD)、跨阻运放(TIA)以及后续的处理电路。详细分析了PD的模型,并对其频率响应做了理论推导和仿真,设计了跨导运放的电路,并对其进行了... 研制了一种高速高灵敏的光电耦合器芯片,其中含有以Nwell-Pepitaxial-Psubstrate为模型的光电探测器(PD)、跨阻运放(TIA)以及后续的处理电路。详细分析了PD的模型,并对其频率响应做了理论推导和仿真,设计了跨导运放的电路,并对其进行了仿真验证。实测结果表明,当光电流为12.2mA时,TIA模块的灵敏度可达2ns,整片的响应时间为205ns和155ns。该光电耦合器适用于高速、高灵敏度的智能控制仪器及通信系统。 展开更多
关键词 光电耦合器 光电检测 跨导运放 响应时间 灵敏度
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两输入全差分高频宽线性可调的OTA及其滤波器应用 被引量:2
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作者 成坚 何怡刚 《电路与系统学报》 CSCD 2004年第4期50-53,共4页
文章提出了一种采用两输入全差分结构、线性可调范围宽的高频跨导运算放大器,适合于需大范围连续调谐的高频连续时间滤波器。仿真结果表明,通过频率补偿,在高频情况下,它不仅具有良好的线性输入和线性可调范围,而且具有较好的频率响应特... 文章提出了一种采用两输入全差分结构、线性可调范围宽的高频跨导运算放大器,适合于需大范围连续调谐的高频连续时间滤波器。仿真结果表明,通过频率补偿,在高频情况下,它不仅具有良好的线性输入和线性可调范围,而且具有较好的频率响应特性,对高频滤波器的性能有一定的改善。 展开更多
关键词 模拟集成电路 滤波器 跨导运放 频率补偿 调谐
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一种新型高精度电流检测电路的设计 被引量:6
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作者 杨朝龙 刘斌 +1 位作者 张志浩 章国豪 《电子技术应用》 2021年第11期39-43,46,共6页
针对待检测的负载电阻在实际电路中存在偏差问题,提出新型轨到轨电流检测电路。利用对称的轨到轨跨导运放电路,将输入电压转化成电流,通过两级运放组成的负反馈电路,将电流输出。该电流检测电路增加了输入电压范围,也没有了传统串联电... 针对待检测的负载电阻在实际电路中存在偏差问题,提出新型轨到轨电流检测电路。利用对称的轨到轨跨导运放电路,将输入电压转化成电流,通过两级运放组成的负反馈电路,将电流输出。该电流检测电路增加了输入电压范围,也没有了传统串联电阻检测结构的采样保持支路,并且对待检测电阻进行步进设计来减小误差,进一步提高检测电路的精度。该电路采用GLOBALFOUNDRIES 0.13μm RF SOI-CMOS工艺实现,工作电压为5 V,启动时间为27 ns,静态功耗为1.17 mW,电流检测电路检测精度高达99.43%。 展开更多
关键词 电流检测 检测电阻 轨到轨跨导运放 高精度
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A Linear CMOS OTA and Its Application to a 3.3V 20 MHz High-Q g_m-C Bandpass Filter
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作者 王斌 杨华中 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1892-1897,共6页
A design of a linear and fully-balanced operational transconductanee amplifier (OTA) with improved high DC gain and wide bandwidth is presented. Derivative from a single common-source field effect transistor (FET)... A design of a linear and fully-balanced operational transconductanee amplifier (OTA) with improved high DC gain and wide bandwidth is presented. Derivative from a single common-source field effect transistor (FET) cas- cade and its DC I-V characteristics,the third-order coefficient g3 hasbeen well compensated with a parallel FET operated in the triode region, which has even-odd symmetries between the boundary of the saturation and triode region. Therefore,for high linearity,a simple solution is obtained to increase input signal amplitude in saturation for the application of OTA continuous-time filters. A negative resistance load (NRL) technique is used for the compensation of parasitic output resistance and an achievement of a high DC-gain of the OTA circuits without extra internal nodes. Additionally, derivations from the ideal -90° phase of the gm-C integrator mainly due to a finite DC gain and parasitic poles will be avoided in the frequency range of interest. HSPICE simulation shows that the total harmonic distortion at 1Vp-p is less than 1% from a single 3.3V supply. As an application of the VHF CMOS OTA,a second-order OTA-C bandpass filter is fabricated using a 0. 18μm CMOS process with two kinds of gate-oxide layers, which has achieved a center frequency of 20MHz,a 3dB-bandwidth of 180kHz,and a quality factor of 110. 展开更多
关键词 linear OTA high DC-gairt high Q bandpass filter
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SOI高温压力传感器专用集成电路设计
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作者 程鑫 陈东亮 +2 位作者 吴亚林 田雷 寇文兵 《磁性材料及器件》 CAS 2018年第1期50-54,共5页
针对压力传感系统高温条件下无法稳定工作、性能下降等问题,设计了一种基于SOI CMOS高温工艺的压力传感器专用集成电路(ASIC),主要由零温度系数恒流源、仪表运算放大器(由恒定跨导运放组成)和零温度系数电压基准组成,具有为压力传感器... 针对压力传感系统高温条件下无法稳定工作、性能下降等问题,设计了一种基于SOI CMOS高温工艺的压力传感器专用集成电路(ASIC),主要由零温度系数恒流源、仪表运算放大器(由恒定跨导运放组成)和零温度系数电压基准组成,具有为压力传感器供电、放大输出信号及调节零点的功能,重点介绍了零温度系数恒流源、仪表运放及组成仪表运放的运算放大器等相关电路。仿真结果表明,-55~225℃温度范围内,恒流源温度系数为109ppm/℃,运算放大器输入MOS管跨导几乎与温度无关,仪表运放输入输出电压成正比且共模抑制比高达125 d B。测试结果显示该压力传感器专用集成电路可在225℃下正常工作。 展开更多
关键词 压力传感器 恒定跨导运放 专用集成电路 设计
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