CMOS1.4THzΩ155Mb/s光接收机差分跨阻前置放大器

采用本土 CSMC 0 .6μm标准 CMOS技术设计实现了一种用于光纤用户网的 CMOS跨阻前置放大器 .电路采用差分结构以提高共模抑制比 ,减小高频下电源波动和寄生反馈通路的干扰 ,抑制衬底耦合噪声和温漂 ,从而有效抑制前置放大器的噪声 .同时前置放大器为双端输出 ,易与后面差分结构的主放大器级联 ,无需单端 -双端转换电路和片外元件 ,电路结构更为简单 ,实现了单片集成 .电路采用单级放大结构 ,比通常的多级电路更为稳定 .测试结果表明 ,前置放大器在 5 V电源电压下增益 -带宽积可达 1.4 THzΩ,等效输入电流噪声为 1.81p A/ Hz,可稳定工作在 15 5 Mb/ s(STM- 1)

10Gbit/s GaAs跨阻前置放大器

GaAs基pHEMT工艺适合于制作10Gbit/s速率的高速前置放大器电路。完成了工作于10Gbit/s速率的跨阻前置放大器电路的器件设计、电路设计,电路采用了串联电感L技术,有效地提高了工作带宽。模拟工作带宽达到9.0GHz,跨阻增益达到58dBΩ。电路采用0.2μmGaAs基pHEMT电子束直写T型栅工艺制作。对制作的电路进行了电测试,可工作于10Gbit/s的速率。

超低功耗GaAs PHEMT跨阻前置放大器

本文报导了光纤通信接收机中 Ga As PHEMT工艺前置放大器的设计方法与测试结果。此前置放大器采用单电源供电 ,由 1级放大器、2级源级跟随器和 1个反馈电阻组成。当前置放大器工作在 2 .5Gbit/ s时 ,跨阻可达 6 0 d BΩ。采用 +5 V电源供电 ,功耗为 110 m

光通信系统中前置跨阻放大器的研究和设计

本文介绍了前置跨阻放大器在光通信中光接收机上的应用及其发展方向 ,提出了一种新型的前置跨阻放大器电路结构 ,即在普通跨阻结构上适当地加了有源反馈的电路结构 ,并对它们进行了理论分析 ,最后用BSIM 3v3模型 ,0 3 5μm工艺 ,Cadence仿真器工具对它们进行仿真 ,结果很好 ,带宽从 1GHz增加到 2 15GHz。

10 Gbit/s PON系统突发模式前置放大器设计(英文)

针对无源光网络(PON)设计了10 Gbit/s的突发模式前置放大器. 为了获取大动态范围和快速响应,电路采用DC耦合结构,并设计了一种反馈型峰值检测单元以实现自动增益控制与阈值提取功能. 利用调节型共源共栅(RGC)结构的输入级单元减小了电路的输入电阻,使得包括光检测器电容在内的大寄生电容与电路的主极点相隔离,从而提高了带宽. 该前置放大器采用低成本的0.13 μm CMOS工艺实现,芯片面积为425μm×475μm,总功耗为23.4mW. 测试结果表明,电路的工作速率范围在1.25 ～10.312 5Gbit/s,可提供64.0 dBΩ的高跨阻增益与54. 6 dBΩ的低跨阻增益,输入动态范围大于22.9 dB. 等效输入噪声电流为23.4 pA/Hz1/2. 该放大器可满足10G-EPON与XG-PON的相关指标.

带AGC的CMOS光接收机前置放大器的设计

设计了一种带有自动增益控制电路(AGC)的动态范围较宽的互补型金属氧化物半导体(CMOS)光接收机跨阻前置放大器(TIA)。该放大器的工作电压为3.3 V。采用0.25μm CMOS工艺库仿真,结果表明:小信号输入时,跨阻增益可达76 kΩ,单端输出信号在输入信号为0 dBm时为281 mV。

CMOS光接收机前端放大电路

利用SMIC 0.18μmCMOS工艺设计了光接收机前端放大电路.在前置放大器中,设计了一种高增益有源反馈跨阻放大器,并且可以使输出共模电平在较大范围内调解.在限幅放大器中,通过在改进的Cherry-Hooper结构里引入有源电感负反馈来进一步扩展带宽.整个前端放大电路具有较高的灵敏度和较宽的输入动态范围.Hspice仿真结果表明该电路具有119dB的中频跨阻增益,2.02GHz的带宽,对于输入电流幅度从1.4μA到170μA变化时,50Ω负载线上的输出电压限幅在320mV(V_(pp)),输出眼图稳定清晰.核心电路静态功耗为45.431mW.

一种850nm单片集成光接收机前端

采用0.5μm GaAs PHEMT工艺和台面光刻互连工艺研制了一种850nm光接收机前端单片电路,包括金属-半导体-金属光探测器和跨阻前置放大器。探测器光敏面积约2000μm2,电容小于0.15pF,4V偏压下的暗电流小于14nA。跨阻前置放大器-3dB带宽接近10GHz,跨阻增益约43dBΩ。光接收机前端在输入2.5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的850nm光信号下得到较为清晰的输出眼图。