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跳跃电导的一种逾渗模型
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作者 辛厚文 廖结楼 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期410-413,共4页
本文用逾渗理论方法,研究了非晶材料中电子跳跃电导率σ与分数维d_f之间的关系,并指出在此电子输运过程中,费米能级附近的电子定域态分布有可能呈分形特征。
关键词 跳跃电导 逾渗 分数维 非晶材料
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巨介电常数材料CCTO的可变程跳跃电导研究(英文)
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作者 林鹏 黄海涛 +2 位作者 叶茂 曾燮榕 柯善明 《集成技术》 2014年第6期8-13,共6页
文章研究了巨介电常数材料Ca Cu3Ti4O12(CCTO)在宽温区(-120℃~300℃)及宽频域(1 Hz^10 MHz)的交流电导及介电性能。在低温区和高温区,CCTO表现出两种不同的导电过程,均可以由Mott提出的可变程跳跃电导机制(Variable-Range-Hopping,VRH... 文章研究了巨介电常数材料Ca Cu3Ti4O12(CCTO)在宽温区(-120℃~300℃)及宽频域(1 Hz^10 MHz)的交流电导及介电性能。在低温区和高温区,CCTO表现出两种不同的导电过程,均可以由Mott提出的可变程跳跃电导机制(Variable-Range-Hopping,VRH)来描述。研究发现高温VRH过程与氧空位的二次离子化相关,而低温过程符合普适介电响应方程,其介电弛豫行为起源于极化子的弛豫。 展开更多
关键词 巨介电常数 可变程跳跃电导 极化子弛豫
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一维二元非对角关联无序体系交流跳跃电导特性 被引量:3
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作者 马松山 徐慧 +1 位作者 李燕峰 张鹏华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期5394-5399,共6页
在单电子紧束缚无序模型基础上,建立了一维二元非对角关联无序体系电子跳跃输运交流电导模型,并推导了其交流电导公式,通过计算其交流电导率,探讨了格点能量无序度、格点原子组分、非对角关联及温度、外场对体系交流跳跃电导的影响.计... 在单电子紧束缚无序模型基础上,建立了一维二元非对角关联无序体系电子跳跃输运交流电导模型,并推导了其交流电导公式,通过计算其交流电导率,探讨了格点能量无序度、格点原子组分、非对角关联及温度、外场对体系交流跳跃电导的影响.计算结果表明,一维二元非对角关联无序体系的交流电导率随格点能量无序度的增大而减小.同时,体系中两种原子的组分的变化实际代表着体系成分无序程度的变化,因而对其交流电导率的影响很大,表现为随A类原子含量p的增加而先减小后增大.当引入非对角关联时,体系出现退局域化现象,电子波函数由局域态向扩展态发展,从而使体系的交流电导率大于Anderson模型情况下体系的电导率.此外,温度对一维二元非对角关联无序体系的电子输运的影响表现为体系的交流电导率随温度的升高而减小,而外加交变电场对体系交流电导率的影响表现为随外场频率的升高而增大很快. 展开更多
关键词 二元无序体系 交流跳跃电导 格点能量无序度 非对角关联
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楔形金薄膜系统中的反常跳跃电导和隧道效应 被引量:2
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作者 陶向明 夏阿根 叶高翔 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期239-243,共5页
采用真空蒸镀方法 ,利用液体衬底在沉积过程中的线性扩散过程 ,在玻璃表面制备出斜率仅为 10 - 5的楔形金薄膜逾渗系统 ,并用四引线方法测量了从该薄膜系统中得到的均匀无序金薄膜的导电特性 .实验结果表明 :和通常的平整薄膜逾渗系统相... 采用真空蒸镀方法 ,利用液体衬底在沉积过程中的线性扩散过程 ,在玻璃表面制备出斜率仅为 10 - 5的楔形金薄膜逾渗系统 ,并用四引线方法测量了从该薄膜系统中得到的均匀无序金薄膜的导电特性 .实验结果表明 :和通常的平整薄膜逾渗系统相比 ,该薄膜系统呈现更为强烈的跳跃电导和隧道效应 . 展开更多
关键词 楔形金薄膜系统 反常跳跃电导 隧道效应 真空蒸镀法 线性扩散过程 薄膜物理 逾渗系统
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一维二元非对角关联无序体系跳跃电导特性 被引量:1
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作者 马松山 徐慧 +1 位作者 刘小良 王焕友 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期2852-2857,共6页
在单电子紧束缚无序模型基础上,建立了一维二元关联无序体系电子跳跃输运直流电导模型,并推导了其直流电导公式,通过计算其直流电导率,探讨了格点能量无序度、非对角关联及温度、外场对体系跳跃电导的影响.计算结果表明,一维二元无序体... 在单电子紧束缚无序模型基础上,建立了一维二元关联无序体系电子跳跃输运直流电导模型,并推导了其直流电导公式,通过计算其直流电导率,探讨了格点能量无序度、非对角关联及温度、外场对体系跳跃电导的影响.计算结果表明,一维二元无序体系的直流电导率随着格点能量无序度的增大而减小;当引入非对角关联时,体系出现退局域化现象,从而使体系的直流电导率增大;温度对体系的电子输运的影响表现为体系的直流电导率随温度的升高而增大;在外加电场的调制下,体系的直流电导率在强场区随电场强度增加而增长很快,呈现出非欧姆定律特性,但在弱场区外场的作用不明显. 展开更多
关键词 二元无序体系 跳跃电导 格点能量无序度 非对角关联
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准一维多链无序体系跳跃电导特性
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作者 马松山 徐慧 +1 位作者 郭锐 崔麦玲 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期4972-4979,共8页
在单电子紧束缚近似下,建立了准一维多链无序体系直流、交流电子跳跃输运模型,通过计算探讨了无序模式、维度效应、温度及外场对其直流、交流电导率的影响.计算结果表明:准一维多链无序体系的直流、交流电导率随着格点能量无序度的增大... 在单电子紧束缚近似下,建立了准一维多链无序体系直流、交流电子跳跃输运模型,通过计算探讨了无序模式、维度效应、温度及外场对其直流、交流电导率的影响.计算结果表明:准一维多链无序体系的直流、交流电导率随着格点能量无序度的增大而减小,非对角无序具有增强体系电子输运能力的作用.随着链数的增加,体系的直流、交流电导率增大,但格点能量无序度较小时,维度效应的影响不明显.在对角无序情况下准一维多链无序体系的交流电导率随温度的升高而增大,而在非对角无序模式下却随温度的升高而减小,但对于直流情况,体系的直流电导率随温度的升高而增大.在外加电场的调制下,体系的直流电导率在强场区随电场强度增加而增大得很快,呈现出非欧姆定律特性,但链数越多,体系的直流电导率随外场强度的增加而增大得越平缓.当外加交变电场时,准一维多链无序体系的交流电导率随外场频率的增大而增大,并满足σac(ω)∝ω2[ln(1/ω)]2的关系式. 展开更多
关键词 准一维多链无序体系 跳跃电导 对角无序 非对角无序
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跳跃探针式离子电导显微镜动态观察大鼠海马神经元坏死
7
作者 杨国巍 朱晖 +3 位作者 周子伟 李瑛 张彦军 张建宁 《中国组织工程研究》 CAS CSCD 2013年第15期2661-2668,共8页
背景:目前关于神经元坏死的分子机制研究已取得一定进展,然而由于技术水平的限制,对神经元坏死过程细胞的动态变化研究较少。应用跳跃探针式离子电导显微镜可对体外培养神经元进行实时、非接触式的连续观察。目的:采用跳跃探针式离子电... 背景:目前关于神经元坏死的分子机制研究已取得一定进展,然而由于技术水平的限制,对神经元坏死过程细胞的动态变化研究较少。应用跳跃探针式离子电导显微镜可对体外培养神经元进行实时、非接触式的连续观察。目的:采用跳跃探针式离子电导显微镜动态观察大鼠海马神经元坏死过程中细胞表面形态随时间的动态变化。方法:体外原代培养大鼠海马神经元,用1mmol/L过氧化氢溶液处理30min致神经元坏死。采用跳跃探针式离子电导显微镜连续扫描,观察神经元坏死过程中其胞体与突起的形态变化,并测量其细胞高度与体积变化。结果与结论:跳跃探针式离子电导显微镜连续扫描9h结果显示,过氧化氢组大鼠海马神经元由正常的三角形或梭形逐渐肿胀变成球形,轴突与树突出现串珠样改变,最终神经突断裂并溶解消失。同时测量细胞高度与体积后结果显示,过氧化氢组神经元细胞高度比及体积比于扫描后2-7h之间持续增加(P<0.05),扫描后7-9h之间维持于相对稳定水平,最终高度与体积值约为初始值的2倍。线性回归分析结果示在扫描后1-7h之间过氧化氢组神经元高度与体积增加量与时间呈线性相关(b=0.15,P<0.05;b=0.17,P<0.05)。结果证实,利用跳跃式离子电导显微镜技术观察大鼠海马神经元坏死,可以得到了高质量的细胞图像,更准确的细胞高度与体积的信息。 展开更多
关键词 组织构建 神经组织构建 神经元 坏死 跳跃探针式离子电导显微镜 过氧化氢 海马 超微结构 大鼠
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尖晶石系NTC热敏电阻材料导电机理的研究进展 被引量:6
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作者 王卫民 《安阳师范学院学报》 2005年第2期41-45,共5页
通过对尖晶石系NTC热敏电阻材料导电机理的讨论和目前研究现状的综合分析,认为跳跃导电模型可以成功地解释NTC热敏电阻材料许多性质和现象,在将来的研究中要更加关注材料体系中晶界势垒的形成对材料导电机理和性能影响的研究。
关键词 NTC 尖晶石 晶界势垒 跳跃电导
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Zintl相热电材料纳米晶(Mg_(0.97)X_(0.03))_3Sb_2的低温电输运性能
9
作者 辛红星 秦晓英 +3 位作者 张宽心 宋春军 张建 朱晓光 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期244-247,243,共5页
采用机械合金化结合热压的方法,制备了纳米晶(Mg0.97X0.03)3Sb2(X=Mg、Cr、Cu、Ti),进行了微结构表征和电阻率测量。结果表明其平均晶粒尺寸不超过40nm。(Mg0.97X0.03)3Sb2晶体结构四面体位置的Mg-Sb结合距离变短,共价性增强。室温电阻... 采用机械合金化结合热压的方法,制备了纳米晶(Mg0.97X0.03)3Sb2(X=Mg、Cr、Cu、Ti),进行了微结构表征和电阻率测量。结果表明其平均晶粒尺寸不超过40nm。(Mg0.97X0.03)3Sb2晶体结构四面体位置的Mg-Sb结合距离变短,共价性增强。室温电阻从543Ωcm(Mg3Sb2)下降到137Ωcm((Mg0.97Cr0.03)3Sb2)、121Ωcm((Mg0.97Ti0.03)3Sb2)、109Ωcm((Mg0.97Cu0.03)3Sb2)。替代样品的电阻在低温时为变程跳跃电导。电阻率的降低是由于替代形成的晶格中化学环境变化,原子间结合强度增加所致。 展开更多
关键词 机械合金化 纳米晶 替代 电阻率 变程跳跃电导
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基于电容结构的α-SiGe∶H膜电学退化特性
10
作者 郑若成 吴素贞 +3 位作者 洪根深 王印权 徐海铭 吴建伟 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第7期526-531,576,共7页
针对航天一次可编程(OTP)存储器高可靠应用需求,基于电容结构和肖特基接触模型,分析得出α-SiGe∶H膜退化前电流传输机制较好地符合热电子发射-扩散模型,并计算得到零偏α-SiGe∶H/TiW界面肖特基势垒高度为0.41 eV。通过实验发现,在电... 针对航天一次可编程(OTP)存储器高可靠应用需求,基于电容结构和肖特基接触模型,分析得出α-SiGe∶H膜退化前电流传输机制较好地符合热电子发射-扩散模型,并计算得到零偏α-SiGe∶H/TiW界面肖特基势垒高度为0.41 eV。通过实验发现,在电压应力作用下,α-SiGe∶H膜漏电随时间增大并逐渐饱和,且不同应力电压下对应饱和漏电大小及饱和点时间不同。分析应力下漏电增大与非晶网络弱键断裂造成的缺陷相关,漏电机制由初始的扩展态主导转变为由缺陷密度决定的局域态主导,漏电饱和归因于α-SiGe∶H膜中缺陷密度的饱和,采用近邻跳跃电导模型可以很好地拟合实测J-V曲线,并计算得到饱和缺陷密度为5×10^19 eV^-1·cm^-3。 展开更多
关键词 一次可编程(OTP)存储器 α-SiGe∶H膜 肖特基接触 热电子发射-扩散模型 跳跃电导机制
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HfOxNy栅介质薄膜的电学特性
11
作者 蒋然 谢二庆 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期172-174,共3页
用直流溅射方法制备了HfOxNy薄膜,对其电学特性和导电机理进行了研究.实验结果表明,引入铪缓冲层并在氮气中退火有助于改善电学性能.研究了薄膜在电场下的漏电机理,发现在负向低电场下I-V特性遵从欧姆规律,在中强电场下导电机制遵从空... 用直流溅射方法制备了HfOxNy薄膜,对其电学特性和导电机理进行了研究.实验结果表明,引入铪缓冲层并在氮气中退火有助于改善电学性能.研究了薄膜在电场下的漏电机理,发现在负向低电场下I-V特性遵从欧姆规律,在中强电场下导电机制遵从空间电荷限制电流理论. 展开更多
关键词 HfOxNy 溅射 空间电荷限制电流 离子跳跃电导
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(ITO)_x(SiO2)_(1-x)纳米颗粒薄膜的电输运性质
12
作者 李志青 梁志伟 《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》 EI CSCD 北大核心 2017年第8期862-867,共6页
为了理解三维纳米颗粒薄膜体系中电子的跳跃传导行为,采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了一系列不同Sn:In_2O_3(ITO)体积分数的三维(ITO)_x(SiO_2)_(1-x)纳米颗粒薄膜样品,对绝缘性样品在2~300,K温度范围内电导率与温度的关系进行了... 为了理解三维纳米颗粒薄膜体系中电子的跳跃传导行为,采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了一系列不同Sn:In_2O_3(ITO)体积分数的三维(ITO)_x(SiO_2)_(1-x)纳米颗粒薄膜样品,对绝缘性样品在2~300,K温度范围内电导率与温度的关系进行了系统研究.在低温区(<120,K),电导率与温度遵从lnσ■T^(-1/2)的关系,体系的电子输运机制符合Abeles等提出的跳跃传导模型,电子的输运以颗粒间的跳跃为主,颗粒库仑充电能主导着颗粒间电子的输运过程.而在高温区,体系的电子输运机制符合热涨落诱导的隧穿导电模型,热涨落电势主导着颗粒间电子的输运过程. 展开更多
关键词 纳米颗粒薄膜 电输运性质 跳跃电导 热涨落诱导隧穿
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Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的I-V特性测量及导电机理 被引量:4
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作者 沈效农 王弘 尚淑霞 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第4期337-340,共4页
Bi_4Ti_3O_(12)薄膜是一种具有广泛应用前景的典型的铁电薄膜。本文报道了用MOCVD方法制备的Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的I-V特性测量及其导电机理。结果表明,在低场下,Bi_4Ti_3O_(12)薄... Bi_4Ti_3O_(12)薄膜是一种具有广泛应用前景的典型的铁电薄膜。本文报道了用MOCVD方法制备的Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的I-V特性测量及其导电机理。结果表明,在低场下,Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的I-V特性表现为欧姆性质,在中强场下,薄膜的导电机理遵从SCLC理论。 展开更多
关键词 铁电薄膜 MOCVD技术 离子跳跃电导 肖特基发射
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多晶TaN_(1-δ)薄膜的电输运性质研究
14
作者 周定邦 刘新典 李志青 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第19期278-284,共7页
利用射频溅射法在石英玻璃基底上制备了一系列面心立方结构的多晶TaN1-δ薄膜,并对其晶体结构和2—350 K温度范围的电子输运性质进行了系统研究.薄膜呈多晶结构,并且平均晶粒尺寸随着基底温度的升高逐渐增大.电输运测量结果表明,TaN1-... 利用射频溅射法在石英玻璃基底上制备了一系列面心立方结构的多晶TaN1-δ薄膜,并对其晶体结构和2—350 K温度范围的电子输运性质进行了系统研究.薄膜呈多晶结构,并且平均晶粒尺寸随着基底温度的升高逐渐增大.电输运测量结果表明,TaN1-δ薄膜在5 K以下表现出类似超导体-绝缘体颗粒膜的电输运性质;随着温度的升高,薄膜在10—30 K表现出类似金属-绝缘体颗粒膜的性质;在70 K以上,热涨落诱导的遂穿导电机理主导着电阻率的温度行为.我们的结果表明:TaN1-δ多晶薄膜的类颗粒膜属性使其具有较高的电阻率和负的电阻温度系数. 展开更多
关键词 电输运性质 颗粒薄膜 跳跃电导
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跳跃探针式离子电导显微镜技术及其在生物学研究中的应用 被引量:1
15
作者 朱晖 李瑛 +3 位作者 刘晓 卢虎杰 张建宁 张彦军 《生物物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期644-653,共10页
跳跃探针式离子电导显微镜(hopping probe ion conductance microscopy,HPICM)技术是一种新型的扫描探针显微镜(scanning probe microscopy,SPM)技术,其能够在生理条件对形态复杂的活体生物样品进行非接触式的纳米尺寸成像。这项新技术... 跳跃探针式离子电导显微镜(hopping probe ion conductance microscopy,HPICM)技术是一种新型的扫描探针显微镜(scanning probe microscopy,SPM)技术,其能够在生理条件对形态复杂的活体生物样品进行非接触式的纳米尺寸成像。这项新技术克服了传统扫描离子电导显微镜(scanning ion conductance microscopy,SICM)连续负反馈控制会造成样品和探针损坏的缺点,扩大了SICM在生物学研究中的应用范围。本文综述了HPICM技术的基本原理,结合国内外研究现状介绍了HPICM在生物学领域的应用,并对其发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 扫描探针显微镜 扫描离子电导显微镜 跳跃探针式离子电导显微镜 纳米生物学
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利用探针跳跃式离子电导显微镜研究活体血小板膜结构及其膜微粒的形成
16
作者 刘晓 罗玉福 张彦军 《生物医学工程学杂志》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期767-771,共5页
血小板在激活剂作用下会快速活化并释放具有高促凝活性的血小板膜微粒(PMPs),进而诱发出凝血功能障碍,但PMPs的形成机制有待明确。探针跳跃式离子电导显微镜(HPICM)具有在生理环境下对活体细胞进行非接触式实时高分辨率成像的技术优势... 血小板在激活剂作用下会快速活化并释放具有高促凝活性的血小板膜微粒(PMPs),进而诱发出凝血功能障碍,但PMPs的形成机制有待明确。探针跳跃式离子电导显微镜(HPICM)具有在生理环境下对活体细胞进行非接触式实时高分辨率成像的技术优势。本文运用HPICM技术实时监测血小板在胞内钙离子诱导剂A23187和细胞松弛素D作用下活化及PMPs形成的过程,证明了胞内钙离子浓度和细胞骨架蛋白在血小板活化及PMPs形成中发挥了重要作用;并发现与扁平型血小板相比,突起型血小板对A23187和细胞松弛素D更为敏感,这对利用HPICM技术研究血小板活化与出凝血功能调节之间的关系具有指导意义。 展开更多
关键词 探针跳跃式离子电导显微镜 血小板活化 血小板膜微粒
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Charge transport in conducting polyaniline co-doped with sulfosalicylic acid and dodecylbenzoyl sulfonic acid
17
作者 马利 《Journal of Chongqing University》 CAS 2009年第3期170-174,共5页
We prepared conducting polyaniline (PAn) co-doped with sulfosalicylic acid (SSA) and dodecylbenzoyl sultonic acid (DBSA) in micro-emulsive polymerization, and studied its charge transport behaviors based on the ... We prepared conducting polyaniline (PAn) co-doped with sulfosalicylic acid (SSA) and dodecylbenzoyl sultonic acid (DBSA) in micro-emulsive polymerization, and studied its charge transport behaviors based on the measurement of its electrical conductivity in the temperature range between 203 K and 298 K. The conductivity was found to increase with temperature, similar to the case in semiconductors. Analyzing the experimental data with three models, namely the charge-energy-limitedtunneling model, Kivelson model and the three-dimensional variable range hopping (3D-VRH) model demonstrated that these models all describe well the charge transport behaviors of PAn co-doped with SSA and DBSA within the mentioned temperature range. From calculation with the 3D-VRH model, the hopping distance of the conducting PAn is obviously larger than its localization length. The PAn doped with SSA and DBSA enjoys desirable crystallinity due to the co-doping of two functional sulfonic acids. The macroscopic conductivity may correspond to three-dimensional transport in the network of the bundles, and the metallic islands may be attributed to quasi-one-dimensional bundles. 展开更多
关键词 conducting polymer conductive materials DOPING POLYANILINE charge transport variable range hopping
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一维无序体系的交流跳跃导电 被引量:4
18
作者 徐慧 宋袆璞 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期1798-1803,共6页
建立了electron phonon field(EPF)电子隧穿电导模型 ,推导了一维无序体系新的交流电导公式 .通过计算具有2 0 0 0 0— 6 5 0 0 0个格点的无序体系的交流电导率 ,分析了交流电导率与温度及外场频率的关系 ,讨论了无序度对交流电导的影... 建立了electron phonon field(EPF)电子隧穿电导模型 ,推导了一维无序体系新的交流电导公式 .通过计算具有2 0 0 0 0— 6 5 0 0 0个格点的无序体系的交流电导率 ,分析了交流电导率与温度及外场频率的关系 ,讨论了无序度对交流电导的影响 .计算结果表明 ,无序体系的交流电导率随外场频率的增加而近似线性的增大 ;无序体系在低温区出现了负微分电阻特性 ,电导率随温度的升高而增大 ,在高温区电导率随温度的升高而减小 ;无序度对无序体系的交流电导影响明显 :在低温区 ,无序度越小 ,体系的电导率越大 ;在高温区 ,适当增大无序度 ,有利于电子共振隧穿条件的形成 ,提高体系的电导率 .但是如果无序度过大 。 展开更多
关键词 一维无序体系 电子隧穿 跳跃电导 交流电导 非晶态半导体 有机聚合物
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日本用钻石制成双极晶体管 可放大电流降低能耗
19
作者 沈熙磊 《半导体信息》 2011年第5期19-20,共2页
钻石作为半导体材料具有最好的绝缘耐压性能和最高的热传导率,但钻石通常电阻非常大,限制了其应用。日本研究人员在钻石中掺进杂质解决这一问题,首次制成了双极型晶体管,为研制节能半导体元件开辟了新道路。日本产业技术综合研究所近日... 钻石作为半导体材料具有最好的绝缘耐压性能和最高的热传导率,但钻石通常电阻非常大,限制了其应用。日本研究人员在钻石中掺进杂质解决这一问题,首次制成了双极型晶体管,为研制节能半导体元件开辟了新道路。日本产业技术综合研究所近日发表公报说。 展开更多
关键词 双极晶体管 双极型晶体管 半导体材料 半导体元件 绝缘耐压 综合研究所 热传导率 内部热量 主任研究员 跳跃电导
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