成型工艺对高介单层微波陶瓷电容器性能的影响

分别采用轧膜与流延两种成型工艺制备了SrTiO3高介单层微波陶瓷电容器材料,对比研究了两种成型工艺对其结构与性能的影响。研究表明:对于轧膜工艺而言,电容器陶瓷材料的εr和密度随着轧膜次数增加呈单峰效应,瓷料脱辊后轧膜70次左右可获得表面平整、结构致密、介电性能良好的电容器陶瓷材料。和流延工艺相比,轧膜工艺制备的电容器陶瓷材料εr较大,电容量温度变化率较小。

烧结温度对大功率超薄型压电蜂鸣器用压电陶瓷结构和性能的影响

采用轧膜成型工艺制备大功率超薄型峰鸣器用压电陶瓷。该陶瓷是三方 /四方相共存PSN -PBZT(0 .0 2Pb(Sb0 .5Nb0 .5)O3 - 0 .98PbxBa1-x(Zr0 .55Ti0 .45)O3 )压电陶瓷。研究了烧结温度对三方 /四方相共存PSN -PBZT陶瓷性能的影响 ,利用XRD和SEM研究了烧结温度对其结构的影响。结果表明 ,随着烧结温度的升高 ,材料的晶格常数轴率比Ct/at 逐渐升高 ,ar 有所降低 ,同时 ,材料的晶粒尺寸增大 ,材料的介电常数和机电耦合系数增大。但是 ,烧结温度太高将导致其介电常数和机电耦合系数降低 ,这是由于出现玻璃相和游离氧化锆稀释铁电相所致。