轧膜成型YSZ电解质薄片性能

探索了以YSZ纳米粉体为原料 ,采用轧膜成型的方法制备YSZ电解质薄片的工艺过程。结果表明 :轧膜坯体在14 5 0℃烧结最为适宜 ,保温时间应控制在 2h左右 ;同时 ,在 10 0 0℃附近的烧结初期 ,保温时间也应控制在 2h左右为宜。YSZ电导率在 95 0℃已达到 0 10S/cm以上 。

轧膜成型法制备SOFC支撑电极工艺研究

结合生产实际介绍了轧膜成型工艺制备电极支撑固体氧化物燃料电池中支撑电极的工艺过程。用此方法制备了厚度为0.8 mm的NiO/YSZ阳极坯片和LSM/YSZ阴极坯片,对所得坯片进行预烧结处理,然后在其上面成型电解质薄层。添加20%(质量分数,下同)起孔剂时电极与YSZ电解质的线性收缩率最接近,共烧结容易得到平整的电极支撑半电池。复合阴极的电导性能随孔隙率的增加而下降。使用该方法制备的电极材料从微观结构、机械性能和电性能上都满足SOFC(Solid Oxide Fuel Cells)对电极材料的要求。

轧膜成型PTCR瓷片平整烧成工艺的研究

为制备平整的PTCR瓷片,通过大量试验,分别从烧成温度、升温、降温阶段等各种烧成工艺对采用轧膜成型法制备PTCR瓷片性能的影响,得到了最佳平整度和电性能参数的烧结工艺。

影响轧膜成型ZnO-玻璃系压敏电阻器电性能的因素

轧膜成型 Zn O-玻璃系压敏电阻器的烧结温度、厚度、掺杂 Pb O等因素对电性能有一定影响。调整烧结温度和厚度可控制压敏电压。掺入 Pb

轧膜成型对BaTiO_3片式PTCR性能的影响

为制备片式BaTiO3陶瓷PTCR元件,采用轧膜成型的方法。通过研究材料性能与成型因素的关系,并通过与干压成型工艺对比,研究了轧膜成型工艺对陶瓷PTCR性能的影响。 通过调整影响轧膜成型的条件,可以制得具有良好可塑性、均匀度、致密度、光洁度的薄膜。

轧膜成型法制备燃料电池NiO/YSZ多孔阳极材料的研究

以水基轧膜工艺制备出了不同粘结剂含量的NiO/氧化钇稳定氧化锆(YSZ)固体氧化物燃料电池多孔阳极材料。研究了粘结剂含量和制备工艺条件等对多孔阳极微结构和性能的影响。实验结果表明:轧膜坯体的烧结温度对NiO/YSZ阳极烧结体的孔隙率有着决定的影响;为获得较高孔隙率和一定孔径分布的阳极烧结体,轧膜生坯的烧结温度应不超过1450℃。此外,粘结剂含量对轧膜生坯的烧结行为及烧结体的性能也有明显的影响,在相同的烧结温度下,高粘结剂含量阳极烧结体的孔隙率和孔径范围明显高于低粘结剂含量的烧结体,其中,粘接剂含量5%的生坯烧结后得到的NiO/YSZ阳极材料具有较好的综合性能;此外,NiO/YSZ材料还原后所得Ni/YSZ金属陶瓷多孔阳极的电导率随试样烧结温度的升高而升高,随测试温度升高而降低,800℃下的其电导率可达150S/cm。

陶瓷轧膜成型中缺陷的起因分析

本文主要对轧膜成型中瓷件常见引起缺陷的原因进行了分析,着重从粘结剂与颗粒度两方面加以讨论,并提出了在轧膜成型工艺中应注意的几个事项。

高技术陶瓷成型方法及特点

介绍了几种高技术陶瓷的成型方法,并对其工作原理、成型特点作了简要说明,同时对技术陶瓷成型过程中泥浆制备特点、成型特点及产品具有的特殊性进行了分析。

可塑成型工艺制备氧化锆陶瓷概述

可塑成型方法主要有挤压法、车坯法、湿压法、轧膜法等.本文探索了以氧化锆为原料,采用轧膜成型的方法制备氧化锆陶瓷制品的工艺过程.在适宜条件下,获得的轧膜坯体表面均匀,局部微裂纹在烧结过程中可以愈合,尤其是表面存在的宽度在8μm以下的微裂纹可以被烧实.轧膜坯体经过1400～1 450℃烧结后,获得瓷体的线收缩均在18%～20%之间,瓷体致密,晶粒完整,晶界清晰.

微叠层材料及其制备工艺研究进展

着重论述了各种微叠层材料及其制备方法,认为电子束物理气相沉积是制备微叠层材料的有效方法;同时对微叠层材料性能方面的研究也作了相应的论述,并展望了我国今后在这方面的研究方向。

片式BaTiO_3基PTCR瓷片的制备及烧结工艺的研究

以轧膜成型工艺制备的BaTiO3基热敏电阻(PTCR)坯片为对象,研究了烧结工艺对其电性能的影响。结果表明,通过控制烧结温度的各参数,可优化成BaTiO3基热敏电阻的电性能。且获得室温电阻低于10Ω、升阻比达5个数量级且耐电压高于50V/mm的片式PTCR瓷片,尺寸为8mm×5mm×0.22mm。

烧结温度对大功率超薄型压电蜂鸣器用压电陶瓷结构和性能的影响

采用轧膜成型工艺制备大功率超薄型峰鸣器用压电陶瓷。该陶瓷是三方 /四方相共存PSN -PBZT(0 .0 2Pb(Sb0 .5Nb0 .5)O3 - 0 .98PbxBa1-x(Zr0 .55Ti0 .45)O3 )压电陶瓷。研究了烧结温度对三方 /四方相共存PSN -PBZT陶瓷性能的影响 ,利用XRD和SEM研究了烧结温度对其结构的影响。结果表明 ,随着烧结温度的升高 ,材料的晶格常数轴率比Ct/at 逐渐升高 ,ar 有所降低 ,同时 ,材料的晶粒尺寸增大 ,材料的介电常数和机电耦合系数增大。但是 ,烧结温度太高将导致其介电常数和机电耦合系数降低 ,这是由于出现玻璃相和游离氧化锆稀释铁电相所致。

(Bi_(0.5)Li_(0.5))HfO_(3)掺杂铌酸银基反铁电陶瓷的储能特性研究

通过在AgNbO_(3)的A位引入7%(摩尔分数)的Sr2+(Ag_(0.86)Sr_(0.07)NbO_(3)),在降低了电滞ΔE的同时,将M_(2)-M_(3)相变调节至室温附近。在此基础上,结合轧膜成型工艺,设计了(1-x)Ag_(0.86)Sr_(0.07)NbO_(3)-x(Bi_(0.5)Li_(0.5))HfO_(3)(ASN-100xBLH,x=0.00~0.12)体系,在1050~1140℃氧气氛下保温2 h制备出致密性良好的厚膜陶瓷样品。结果表明,随着BLH掺杂浓度的增加,ASN-100xBLH陶瓷的击穿场强与储能特性均有不同程度的提升。在460 kV·cm^(-1)电场下,ASN-11BLH的储能性能达到最优,储能密度和储能效率分别为4.6 J·cm^(-3)和90.0%。此外,ASN-11BLH陶瓷表现出较好的温度稳定性和频率稳定性。在300 kV·cm-1电场下,25~120℃的温度范围内,储能密度和储能效率的变化率分别为9.4%和9.8%;10~500 Hz频率范围内,储能密度和储能效率的变化率分别为1.9%和1.2%。