碳布负载高致密Sn/SnBi合金的电催化CO_(2)还原性能

通过分步电沉积法制备碳布(CC)负载高致密Sn/SnBi合金催化剂:首先在CC上电沉积致密Sn颗粒,而后利用酸性电解液部分溶解Sn为Sn^(2+)离子,实现在Sn颗粒表面共沉积SnBi合金枝晶,随后经过原位化学氧化及电化学还原步骤将SnBi合金枝晶转变为SnBi合金纳米颗粒(SnBi NPs)。得益于Sn提供形核位点,SnBi枝晶在碳织物表面垂直致密生长,并通过后续氧化还原转化实现了直径约20 nm的SnBi合金颗粒在CC上致密均匀生长。CC/Sn/SnBi NPs三维电极在-1.08 V(vs RHE)下显示出较高的电催化还原CO_(2)活性,电流密度高达36 mA·cm^(-2)且甲酸盐产物选择性为94.9%。同时,在连续12 h恒电压测试中性能未发生衰减,表明电极具有良好的稳定性。

原子簇La_(8-x)Ba_xCuO_6的原子磁矩和自旋极化的电子结构研究

利用MS Xα方法研究了化合物La2 -yBayCuO4 的原子磁矩和自旋极化的电子结构 .理论计算得到母相氧化物La2 CuO4 的Cu原子磁矩为 0 37μB,与实验值 0 4 8± 0 15 μB 基本一致 .研究结果显示 ,由于Ba原子对部分La的替代 ,使构成化合物的基本原子簇La8-xBaxCuO6 的点群对称性降低 ,分子轨道简并度解除 ,轨道杂化效应增强 ,减弱了氧化物的 (准 )二维特性 ,导致Cu O层与其近邻原子层的耦合增强 ,因此影响了原子层间的电荷迁移方向 ,对Cu O层中载流子的性质有重要影响 .由于Ba掺杂在化合物中产生的空穴 ,不仅进入O格点 ,也同时进入Cu格点 ,对Cu O层上Cu和O原子价态、磁矩以及电子态密度分布有重要影响 .研究结果认为 ,由于掺杂产生的空穴对化合物超导电性的影响具有两面性 :初期掺杂有利于产生超导电性 ;当掺杂较多时抑制超导电性 .这是导致La2 14体系的超导转变温度Tc 随掺杂量y的变化 (即Tc y拱形曲线 )的一个重要原因 .