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离子束刻蚀碲镉汞中转型宽度
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作者 徐国庆 刘向阳 +5 位作者 王仍 储开慧 汤亦聃 乔辉 贾嘉 李向阳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期477-480,共4页
用Ar+离子束在p型HgCdTe(碲镉汞)上刻蚀出不同体积的环孔,利用激光诱导电流方法测试转型后的n区宽度.研究发现,在相同的刻蚀条件下,n区宽度取决于材料的汞空位浓度和被刻蚀HgCdTe体积.当被刻蚀HgCdTe体积相同时,n区宽度随汞空位浓度的... 用Ar+离子束在p型HgCdTe(碲镉汞)上刻蚀出不同体积的环孔,利用激光诱导电流方法测试转型后的n区宽度.研究发现,在相同的刻蚀条件下,n区宽度取决于材料的汞空位浓度和被刻蚀HgCdTe体积.当被刻蚀HgCdTe体积相同时,n区宽度随汞空位浓度的增加呈线性减小;当汞空位浓度一定时,n区宽度随被刻蚀HgCdTe体积的增加呈线性增加. 展开更多
关键词 激光诱导电流 p型HgCdTe Ar+离子束刻蚀 转型宽度
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