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基于光敏玻璃的垂直互连通孔仿真与电镀工艺研究
被引量:
14
1
作者
林来存
王启东
+4 位作者
邱德龙
伍恒
薛恺
于大全
曹立强
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期52-57,共6页
本文对玻璃通孔与硅通孔垂直互连结构进行了电磁场仿真,并对比了两者的高频传输特性,结果显示在20GHz处,玻璃通孔与硅通孔的插入损耗分别为-0.024dB和-1.62dB,玻璃通孔的高频传输性能明显优于硅通孔.基于光敏玻璃衬底,采用高刻蚀速率的...
本文对玻璃通孔与硅通孔垂直互连结构进行了电磁场仿真,并对比了两者的高频传输特性,结果显示在20GHz处,玻璃通孔与硅通孔的插入损耗分别为-0.024dB和-1.62dB,玻璃通孔的高频传输性能明显优于硅通孔.基于光敏玻璃衬底,采用高刻蚀速率的湿法腐蚀方法,获得了深宽比为7∶1的玻璃通孔,孔阵列均匀性良好,侧壁粗糙度小于1μm.对不同电流密度下的玻璃通孔填充工艺进行了仿真分析,结果显示在小电流密度下,开口处的电流密度拥挤效应改善明显,铜层生长速度更为均匀,但沉积速度较慢.基于仿真结果,进行了电流密度为1ASD下的通孔填充实验研究,结果显示填充效果良好,120μm的TGV中铜层生长均匀,70μm的TGV中的缝隙较小.
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关键词
转接板技术
光敏玻璃
玻璃通孔
电流密度
填充工艺
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职称材料
题名
基于光敏玻璃的垂直互连通孔仿真与电镀工艺研究
被引量:
14
1
作者
林来存
王启东
邱德龙
伍恒
薛恺
于大全
曹立强
机构
中国科学院微电子研究所
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
出处
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期52-57,共6页
基金
国家重大专项基金资助项目(2013ZX02502)
文摘
本文对玻璃通孔与硅通孔垂直互连结构进行了电磁场仿真,并对比了两者的高频传输特性,结果显示在20GHz处,玻璃通孔与硅通孔的插入损耗分别为-0.024dB和-1.62dB,玻璃通孔的高频传输性能明显优于硅通孔.基于光敏玻璃衬底,采用高刻蚀速率的湿法腐蚀方法,获得了深宽比为7∶1的玻璃通孔,孔阵列均匀性良好,侧壁粗糙度小于1μm.对不同电流密度下的玻璃通孔填充工艺进行了仿真分析,结果显示在小电流密度下,开口处的电流密度拥挤效应改善明显,铜层生长速度更为均匀,但沉积速度较慢.基于仿真结果,进行了电流密度为1ASD下的通孔填充实验研究,结果显示填充效果良好,120μm的TGV中铜层生长均匀,70μm的TGV中的缝隙较小.
关键词
转接板技术
光敏玻璃
玻璃通孔
电流密度
填充工艺
Keywords
interposer technology
photosensitive glass
through glass via
current density
filling process
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于光敏玻璃的垂直互连通孔仿真与电镀工艺研究
林来存
王启东
邱德龙
伍恒
薛恺
于大全
曹立强
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
14
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职称材料
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