^(162)Lu的高自旋态及A=160区双奇核晕态能级的符号因子反转

利用１４７￣Ｓｍ（１９￣Ｆ，４ｎγ）１６２￣Ｌｕ反应研究了１６２￣Ｌｕ的高自旋态。由７个带ＢＧＯ康普顿抑制的高纯锗探测器和一个小平面探测器进行了在束γ测量，首次建立了双奇核１６２￣Ｌｕ转晕带的能级纲图。发现在低转动频率下，１６２￣Ｌｕ的转晕带能级发生符号因子反转。对质量数Ａ＝１６０核区双音核的转晕带重新进行了分析和考察，讨论了转晕带能级符号因子反转的系统性。

^(80)Rb的旋称劈裂反转及负宇称带的回弯

通过熔合蒸发反应65Cu + 19F ,66Zn + 18O及68Zn + 16O ,在 3种入射束流的能量分别为 75MeV ,76MeV及 80MeV研究了80 Rb高自旋态的能级结构 .增加了 2 0多条新的γ跃迁 ,在已知负宇称转晕带上建立了两条新的边带 .将原有的第二条负宇称带的自旋态从 12 -推高到了 2 2 - ,并首次观察到这个带的回弯 ,它的回弯频率为 0 .4 9MeV ;负宇称转晕带在 15 -时出现了旋称反转 ,第二负宇称带存在明显的旋称劈裂 ,但没有观察到旋称反转 ,这两条负宇称带的结构均与其同中子数核82

^(85)Zr核的高自旋态研究

利用102MeV的28Si束流,通过60Ni(28Si,2pn)熔合蒸发反应布居了85Zr核的高自旋态,测量了γ-γ符合及DCO比值,建立了一个有43条能级,75条γ跃迁的能级纲图,新增加了36条γ跃迁,25条能级.将能级自旋推高到(49/2+),首次观察到了转晕带的第二回弯.并确认了一条建立在17/2-负宇称带上的磁转动带.

^126Ba回弯区的能级寿命测量

通过束流能量为７３ＭｅＶ的＾１１６Ｓｎ（＾１６Ｏ，２ｐ４ｎ）＾１２６Ｂａ反应布居＾１２６Ｂａ的高自旋态，利用多普勒移动衰减法测量了转晕带回弯区的能级寿命，相应的归一化Ｂ（Ｅ２）值在１０＾＋和１２＾＋态明显降低。实验结果与粒子－转子模型的理论预言作了比较。