适用于电力系统设备的新一代高压IGBT模块

描述了新一代R系列高压绝缘栅双极型晶体管模块(HVIGBT)的技术特点、性能及其在电力系统中的应用。该模块采用优化平板MOSFET栅轻穿通IGBT技术和软反向恢复高压二极管技术,实现了优异的低损耗性能和高鲁棒性,同时具有平滑的开关特性、卓越的安全工作区能力和低漏电流。实验证明,这些特性能很好地满足电力系统设备对电力电子器件的要求。

具有可控基区底面空穴注入的新型二极管结构

本文提出了一种3.3kV可控基区底面空穴注入的新型二极管结构,简称CIBH(ControlledInjectionofBacksideHoles)二极管。新二极管结构的特点是在阴极侧埋入浮置p层。这些p掺杂区在nn+结形成强电场,避免在nn+结产生雪崩。与无p层相同结构的二极管相比,CIBH二极管显著改善了动态皮实性以及小电流密度下的软反向恢复特性。仿真和首次试制结果显示这一新二极管概念是可以实现的。