α粒子加速软失效率测试的稳定性研究

半导体器件软错误的发生具有几率低、间隔时间长的特点。资源有限条件的下实现对器件软失效率的评估需要借助放射源加速的方法,即加速软失效率测试。作为改进设计和工艺以降低软失效率的前提,就测试方法稳定性进行了系统研究。通过对两种不同制程的静态随机存储器芯片(SRAM)进行α粒子加速软失效率测试,提出了确保α粒子加速测试稳定的方法。基于相同测试条件下多次测量结果变化和测试时间的关系,给出了合理的加速软失效测试的时间推荐值,保证了测试结果的有效性。

MOS随机存贮器(RAM)的发展动向

一、256K-DRAM是现发展阶段完成的标志RAM是计算机的关键组成部件,随着计算机向智能化发展,对RAM的需求将成百倍地增长。因此,对RAM的开发研究成为国际上半导体企业界的竞争焦点,发展十分迅速。过去十年,RAM的单片集成度以每二年四倍速度提高,而由于光刻线条越来越细,因而芯片尺寸每二年只增加1.4倍。下表为从77年至83年DRAM及SRAM的进展概况。