新一代非对称逆导GTO及其吸收二极管

带有缓冲层结构的透明发射极技术能使设计的GTO动态损耗降低50％,门极驱动要求也大为降低。由于使用较薄的硅材料,因而可在单片上集成具有良好动态特性的续流二极管。新一代软恢复吸收二极管利用了寿命分布技术,符合Undeland/Marquardt或McMurray缓冲条件。本文将讨论使透明缓冲阳极得以实现的有关技术突破,并介绍器件的特性。