软磁薄带巨磁阻抗效应的数值分析

利用磁畴壁移动模型以纳米晶软磁合金Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９为例对软磁薄带中的巨磁阻抗效应进行了数值分析，结果发现不同的磁导率机制并不能显著改变巨磁阻抗效应，巨磁阻抗效应的大小仅由磁导率对外加磁场的敏感性决定。从趋肤深度的角度讨论了巨磁阻抗效应的频率特性，只有当趋肤深度和薄带的半厚度相当时才产生显著的巨磁阻抗效应，材料的磁导率增大、电阻率降低或样品的厚度增加能使巨磁阻抗效应向低频端移动。

磁场退火对CoFeNiNbSiB薄带巨磁阻抗的影响

本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗（GMI）效应的影响.样品在不同条件下进行了退火热处理.结果表明,在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性,从而得到了最大的GMI效应.在800kHz的交变电流频率下,得到了236％的最大磁阻抗比.在低场下,材料的磁阻抗磁场灵敏度达到1152％/mT.

抗电磁干扰(EMI)磁性材料及元器件技术

随着IT业的迅猛发展 ,电磁干扰 (EMI)问题也日益突出 ,电磁环境愈益恶化 ,发展抗电磁干扰技术刻不容缓。本文首先分类介绍了国内外各种抗EMI材料的研究动态 。