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光纤的大长度轴向侧面抛磨实验及理论分析
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作者 魏环 裴丽 +1 位作者 赵瑞峰 姜彬 《光电技术应用》 2008年第4期5-7,13,共4页
在光器件的制作中,应用接近纤芯内部或附近传播的光场,常以光纤的轴向侧面抛磨为实现方法.目前小长度的光纤研磨技术已趋于成熟,但大长度的研磨仍为一技术难点.理论分析了光纤研磨的特性;实现了光纤的大长度研磨实验,并比较了实... 在光器件的制作中,应用接近纤芯内部或附近传播的光场,常以光纤的轴向侧面抛磨为实现方法.目前小长度的光纤研磨技术已趋于成熟,但大长度的研磨仍为一技术难点.理论分析了光纤研磨的特性;实现了光纤的大长度研磨实验,并比较了实验结果与理论结果:二者变化规律基本相同;研磨精度可控,长度可选,最长可达十几厘米;在给定光纤参数下,得出光纤研磨的适宜深度范围为51.42~57.8μm. 展开更多
关键词 轴向侧面抛磨 标量分析法 LP01模的传输常数 功率限制因子
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