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直拉硅单晶中氧的轴向均匀性控制
被引量:
13
1
作者
田达晰
杨德仁
+1 位作者
徐明生
阙端麟
《材料科学与工程》
CSCD
2000年第3期105-109,共5页
本文从气氛、热场、坩锅材料、埚位、埚转、晶转、变参数拉晶等几个方面论述了 CZ硅单晶初始氧浓度和氧的轴向均匀性的控制方法 ,着重研究了变参数拉晶对氧的轴向均匀性控制的影响。
关键词
氧
杂质
直拉硅单晶
轴向均匀性控制
下载PDF
职称材料
题名
直拉硅单晶中氧的轴向均匀性控制
被引量:
13
1
作者
田达晰
杨德仁
徐明生
阙端麟
机构
浙江大学硅材料国家重点实验室
出处
《材料科学与工程》
CSCD
2000年第3期105-109,共5页
文摘
本文从气氛、热场、坩锅材料、埚位、埚转、晶转、变参数拉晶等几个方面论述了 CZ硅单晶初始氧浓度和氧的轴向均匀性的控制方法 ,着重研究了变参数拉晶对氧的轴向均匀性控制的影响。
关键词
氧
杂质
直拉硅单晶
轴向均匀性控制
Keywords
silicon
oxygen
impurity
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
直拉硅单晶中氧的轴向均匀性控制
田达晰
杨德仁
徐明生
阙端麟
《材料科学与工程》
CSCD
2000
13
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