电沉积法制备用于一维纳米材料电子输运性质测量的基底

应用电沉积方法制备两种低粗糙度、具有导电/绝缘交接结构的测量基底—Au/CuO和HOPG/CuO,并在带导电针尖的原子力显微测量(CT＿AFM)平台上建立了简便的一维纳米材料轴向电子输运性质测量方法.在大气室温条件下,对组装在两种基底上的单束碳纳米管轴向电学性质进行了定性测量,结果表明,该碳纳米管呈现金属性.

S波段3.3 MW脉冲磁控管的可靠性技术研究

在S波段3.3 MW脉冲磁控管研制过程中,连续多支磁控管在工作比为1.05‰的条件下工作不足100 h,阳极端盖出现明显的氧化现象,经分析轴向电子轰击端盖产生局部高温是引起磁控管阳极端盖氧化的一个重要原因。本文对阴极发射体端部结构进行改进,仿真分析及实验结果证明了改进后的结构可实现对轴向电子的有效抑制。改进后的磁控管在脉冲电压为47.5 kV、脉冲电流为120 A、脉冲宽度为4.2μs、工作比为1.2‰的条件下,输出脉冲功率大于3.3 MW,磁控管已稳定工作超300 h,阳极端盖无氧化现象发生。实验结果为进一步提升磁控管技术性能及推广应用打下了良好基础。

预充等离子体密度对杆箍缩二极管特性的影响

在杆箍缩二极管工作前预先填充一定密度的等离子体,可以改善二极管特性,从而提高二极管出射X射线的剂量率。建立了预充等离子体的杆箍缩二极管的粒子模拟模型,通过收集轰击到阳极上的电子,诊断其轴向分布,可以给出不同时刻的束流箍缩特性。利用"剑光一号"加速器低阻抗状态(1 MV/9Ω/40ns)开展了预充等离子体的杆箍缩二极管实验研究。预充适当密度的等离子体后,二极管阻抗降低到10Ω,X射线辐射剂量从0.76mGy提高到3.19mGy,侧向焦斑从9mm降到4mm。模拟结果和实验基本符合。

单壁碳纳米管及其电学特性研究

制造和提纯了单壁碳纳米管 (SWCNTs) ,用水溶胶体将其竖直地组装在Au薄膜表面 .用此组装技术制造了扫描隧道显微镜 (STM)的针尖 ,成功地观测到了Au晶粒的形貌像和高定向石墨 (HOPG)的原子像 .将单根SWCNT组装在W尖前端 ,置于场发射显微镜 (FEM)系统中 ,观察到了SWCNT开口端的碳原子电子发射像 .测量了站立在Au表面SWCNT的电学特性 .其电子态分布 ,有的呈现半导体特性 ,有的为金属特性 .这种组装技术可用于制造高亮度相干电子源、高分辨场发射显示器、高性能的扫描探针显微镜 (SPM)针尖和组装纳米电子器件等 .

热释光剂量计核查非参考条件下放射治疗剂量学参数的研究

目的 用TLD核查在非参考条件下 ,光子束轴向和电子束轴向最大剂量点处 ,剂量随深度、距离、照射野和 4 5°楔形板等变化的临床剂量学参数研究。方法 在非参考条件下 ,TLD经6 0 Coγ射线束 ,6MV和 15MV高能X射线束 ,9MeV和 16MeV高能电子束测量并估算剂量。结果经TLD核查 ,对不同射线质在不同深度 ,用不同指型电离室测量 ,除了TLD在水中深度 2 0cm处应做支架减弱效应减弱校正外 ,其余临床剂量学参数核查结果表明 ,TLD测量结果与指型电离室测量的参考剂量结果相对误差值均在± 4 9% (IAEA允许误差± 5 % )以内 ;对高能电子线束 ,用平行板电离室测量 ,绝大多数TLD相对误差值超过± 5 %。结论 用TLD核查非参考条件下 ,放射治疗临床剂量学参数方便 ,准确可靠 ,经在医院做可行性验证 ,IAEA推荐的两种TLD照射支架 (一种用于光子束 ,另一种用于电子束 )具有可行性 ;对高能电子线束用平行板电离室测量 ,TLD验证方法待做进一步研究。