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用于亚微米CMOS的轻掺杂漏工艺
被引量:
2
1
作者
章定康
余山
黄敞
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1994年第1期46-48,51,共4页
本文研究了轻掺杂漏(LDD)工艺对器件特性的影响。优化了轻掺杂区离子注入的剂量和能量.优化的SiO2侧墙LDD工艺有效地抑制了短沟道效应.研制成功了沟道长度为0.5μm的CMOS27级环振电路,门延迟为170ns.
关键词
轻
掺杂
漏
亚微米
C
mos
mos
器件
下载PDF
职称材料
包含衬底电流的LDD MOSFET输出I-V特性的经验模型分析(英文)
2
作者
于春利
郝跃
杨林安
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第7期778-783,共6页
采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法 ,建立了适用于亚微米、深亚微米的 L DD MOSFET输出 I- V特性解析模型 ,模型中重点考虑了衬底电流的作用 .模拟结果与实验有很好的一致性 .该解析模型计算简便 ,对小尺寸器件中的热...
采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法 ,建立了适用于亚微米、深亚微米的 L DD MOSFET输出 I- V特性解析模型 ,模型中重点考虑了衬底电流的作用 .模拟结果与实验有很好的一致性 .该解析模型计算简便 ,对小尺寸器件中的热载流子效应等能够提供较清晰的理论描述 。
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关键词
轻掺杂漏mos场效应管
衬底电流
热载流子
效应
深亚微米
PACC
7220
7360
EEACC
2560B
2560R
下载PDF
职称材料
LDD NMOS器件热载流子退化研究
被引量:
1
3
作者
刘海波
郝跃
+1 位作者
张进城
刘道广
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期445-448,共4页
对LDD(轻掺杂漏)NMOS器件的热载流子退化特性进行了研究,发现LDDNMOS器件的退化呈现出新的特点。通过实验与模拟分析,得出了热载流子应力下LDDNMOS退化特性不同于常规(非LDD)NMOS的物理机制。并通过模拟对此观点进行了验证。
关键词
轻
掺杂
漏
mos
器件
热载流子退化
界面态
下载PDF
职称材料
题名
用于亚微米CMOS的轻掺杂漏工艺
被引量:
2
1
作者
章定康
余山
黄敞
机构
西安微电子技术研究所
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1994年第1期46-48,51,共4页
文摘
本文研究了轻掺杂漏(LDD)工艺对器件特性的影响。优化了轻掺杂区离子注入的剂量和能量.优化的SiO2侧墙LDD工艺有效地抑制了短沟道效应.研制成功了沟道长度为0.5μm的CMOS27级环振电路,门延迟为170ns.
关键词
轻
掺杂
漏
亚微米
C
mos
mos
器件
Keywords
Light-doped drain
SiO_2 spacer
Short-channel effects
分类号
TN386.053 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
包含衬底电流的LDD MOSFET输出I-V特性的经验模型分析(英文)
2
作者
于春利
郝跃
杨林安
机构
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第7期778-783,共6页
基金
国防重大预研基金资助项目 (批准号 :8.5 .4.3 )~~
文摘
采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法 ,建立了适用于亚微米、深亚微米的 L DD MOSFET输出 I- V特性解析模型 ,模型中重点考虑了衬底电流的作用 .模拟结果与实验有很好的一致性 .该解析模型计算简便 ,对小尺寸器件中的热载流子效应等能够提供较清晰的理论描述 。
关键词
轻掺杂漏mos场效应管
衬底电流
热载流子
效应
深亚微米
PACC
7220
7360
EEACC
2560B
2560R
Keywords
LDD
mos
FET
substrate current
hot carrier effect
deep submicron
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
LDD NMOS器件热载流子退化研究
被引量:
1
3
作者
刘海波
郝跃
张进城
刘道广
机构
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期445-448,共4页
文摘
对LDD(轻掺杂漏)NMOS器件的热载流子退化特性进行了研究,发现LDDNMOS器件的退化呈现出新的特点。通过实验与模拟分析,得出了热载流子应力下LDDNMOS退化特性不同于常规(非LDD)NMOS的物理机制。并通过模拟对此观点进行了验证。
关键词
轻
掺杂
漏
mos
器件
热载流子退化
界面态
Keywords
Lightly doped drain (LDD)
mos
FET
Hot carrier degradation
Interface state
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于亚微米CMOS的轻掺杂漏工艺
章定康
余山
黄敞
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1994
2
下载PDF
职称材料
2
包含衬底电流的LDD MOSFET输出I-V特性的经验模型分析(英文)
于春利
郝跃
杨林安
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
下载PDF
职称材料
3
LDD NMOS器件热载流子退化研究
刘海波
郝跃
张进城
刘道广
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
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职称材料
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