半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合

采用传输矩阵方法利用半经典的线性色散模型 ,计算半导体微腔内同时存在重空穴激子、轻空穴激子时 ,在不同入射角度下的反射谱 ,同时 ,利用三简谐振子耦合模型计算了在不同入射角度下 ,腔模同时和重空穴激子模、轻空穴激子模耦合所形成的三支腔极化激元的能量 ,以及腔模、重空穴激子模、轻空穴激子模分别在三支腔极化激元中所占的权重 ,结果表明随着入射角的增加腔极化激元的高能支和两个低能支之间存在明显的反交叉现象 ,同时 ,腔模和重空穴激子模。

极性晶体中界面强耦合激子的性质

采用线性组合算符和变分法研究了极性晶体中激子与IO声子强耦合、与LO声子弱耦合体系的基态能量,推导出了激子的自陷能和诱生势的表达式,并以AgCl/AgBr晶体为例进行了数值计算。结果表明,轻空穴激子的自陷能不仅与激子的坐标z有关,而且电子—空穴间距离ρ对激子自陷能的影响也十分显著;轻空穴激子和重空穴激子的诱生势不仅与电子—空穴间距离ρ有关,而且激子距离晶体界面的位置z对诱生势的影响也十分显著。