浅谈附载体铜箔剥离层专利技术的发展

附载体铜箔在将极薄铜层贴合至基板后通过剥离层与载体分离时,剥离层能够减弱载体的剥离强度、且确保该强度的稳定性,实现印制电路板导体图案的微间距化。本文对附载体铜箔中剥离层技术从专利角度进行了梳理,并结合具体专利展示了附载体铜箔中的剥离层技术的发展脉络。

附载体极薄铜箔的剥离机制

目的研究一种极薄铜箔制备过程中所需要的新型剥离层结构,以此来实现极薄铜箔的顺利剥离。方法利用两步电沉积法制备了可剥离的极薄铜箔,利用EBSD分析了“载体铜箔-剥离层-极薄铜箔”结构的附载体铜箔截面晶粒分布规律,利用聚焦离子束技术(FIB)制备了TEM样品,通过HRTEM对“载体铜箔-剥离层-极薄铜箔”结构中剥离层/极薄铜箔、剥离层/载体铜箔的界面微观结构进行了研究。结果与单一Ni剥离层相比,通过两步电沉积法制备的复合剥离层(Ni,Cr-O)具有更好的可剥离性,复合剥离层由有序Ni层和无序Cr-O层组成。复合剥离层中的Ni层与载体铜箔相结合,界面完全共格,形成较强的界面结合;复合剥离层中的无序Cr-O层与极薄铜箔相结合,Cr-O层与极薄铜箔界面原子紊乱,形成较弱的界面结合。对制备的极薄铜箔剥离强度进行测试可知,极薄铜箔与载体铜箔能够剥离,极薄铜箔与剥离层之间的剥离强度约为0.01N/mm。结论利用载体铜箔-剥离层、极薄铜箔-剥离层结合界面的差异化实现了界面结合的差异化,复合剥离层内有序和无序的结构分布调控了载体铜箔与剥离层、极薄铜箔与剥离层之间的界面结合,使剥离层与极薄铜箔之间的结合弱于剥离层与载体铜箔之间的结合,有助于极薄铜箔与剥离层分离,同时剥离层与载体铜箔之间不会分离,进而获得可洁净剥离的极薄铜箔。

附载体极薄铜箔中新型无机/有机复合剥离层的研究

[目的]剥离层是成功制备和应用附载体极薄铜箔的关键所在。针对目前单一无机或有机剥离层存在的问题,开展了无机-有机复合剥离层的研究,以期实现载体箔/剥离层/极薄铜箔的多界面剥离强度的差异化控制。[方法]首先电沉积制备了35μm厚的铜箔为载体箔,然后依次电沉积Zn-Ni合金层和浸镀2-巯基苯并咪唑(2-MBI)有机层,构建了无机/有机复合剥离层,最后在复合剥离层上电沉积极薄铜箔,制备出附载体极薄铜箔。[结果]Zn-Ni合金层浸镀于2-MBI中时,2-MBI分子可通过其N原子和S原子与Zn、Ni发生键合而锚定在合金层表面,进而构成Zn-Ni合金/2-MBI复合剥离层,令载体箔与极薄铜箔之间的剥离强度适中(约0.083N/mm),且两者剥离后极薄铜箔的光面无Zn-Ni合金残留。[结论]采用无机/有机复合剥离层可实现载体箔/剥离层/极薄铜箔多界面剥离强度的差异化控制,为成功制备附载体极薄铜箔奠定了基础。

载体超薄电解铜箔研制的理论性探讨

载体超薄电解铜箔研制的理论性探讨□广东开平铝业集团股份有限公司任元良朱健生□铜箔是压制覆铜箔层压板的主要材料之一，其厚度是关系到能否生产出高精度、高密度、高可靠性微细图象印制线路板的关键因素之一。铜箔越厚，腐蚀除去线路图不需要的铜所需时间就越长，腐蚀...

超薄铜箔在HDI的应用

本文详细介绍了超薄铜箔的结构和制造方法，并对两种结构的超薄铜箔在HDI线路板的应用作了对比，研究了蚀刻速率和剥离强度特性以及图形电镀、激光钻孔的工艺，为超薄铜箔的实际应用提供了可靠的依据。

高密度超精细线路印制板用铜箔

概述了附载体极薄铜箔和附树脂极薄铜箔制造工艺,特别适用于制造高密度超精细线路的多层板。

不同超薄铜箔制作精细线路的研究——针对MSAP工艺

随着物联网时代＆即时顾客定制化时代的到来，系统级封装（SIP，system in package）很好地解决了集成电路产业面临到的矛盾：可以用较低的成本进一步实现集成技术的提升，所以系统级封装被认为是下一代封装技术的主流。近两年随着智能手机大量采用SIP系统模组：BGA的封装ball pitch进一步缩小到0．35mm或0．30mm，原有HDI的布线密度己无法满足要求，必须采用30μm／30μm的布线密度才能实现，这种线路采用掩蔽工艺无法实现，必须采用MSAP（modified semi-additive process）工艺。文章针对MSAP（modified semi-additive process）工艺采用不同的超薄铜箔试验细线路制作能力：即便超薄铜箔厚度只差2μm-3μm，制作线路级别也有很大的差别。经过试验，结合电迁移老化的可靠性测试和不同线路级别的线宽公差来看：2μm薄铜箔可以实现30μm／30μm线路制作，而5μm只能实现45μm／45μm的线路制作，接近现有tenting工艺的制作水平。这意味着．对于MSAP（modified semiadditive process）而言，精度控制等级会进一步提升且需要严格控制，否则，失之毫厘则谬以千里。