期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
PMOLED发光特性的研究
1
作者 李达 余昺鲲 +1 位作者 邵明 孙润光 《现代显示》 2005年第12期34-38,共5页
为了研究PMOLED器件的物理特性,在Alq3主体材料中掺杂C545制备了PMOLED发光器件,其单象素结构为TO(120nm)/CuPc(12nm)/NPB(50nm)/Alq3:C545(30nm)/LiF(1nm)/Al(200nm),色坐标为(0.276,0.589)。该器件的载流子注入模型,在起亮前符合热发... 为了研究PMOLED器件的物理特性,在Alq3主体材料中掺杂C545制备了PMOLED发光器件,其单象素结构为TO(120nm)/CuPc(12nm)/NPB(50nm)/Alq3:C545(30nm)/LiF(1nm)/Al(200nm),色坐标为(0.276,0.589)。该器件的载流子注入模型,在起亮前符合热发射注入模型;起亮后满足遂穿注入模型。PMOLED能较好地满足朗伯定律,并具有响应速度快,视角宽,色彩保真度高等特性。 展开更多
关键词 无源矩阵有机电致发光器件 载流予注入模型 高保真色彩
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部