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电场增强载流子产生中产生电流与宽度的关系
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作者 丁扣宝 胡莲君 张秀淼 《微电子学》 CAS CSCD 1995年第6期56-58,共3页
研究了深能级中心电场增强载流子产生现象,得到的产生电流与产生宽度的理论关系,能较好地与实验结果相符合。
关键词 半导体物理 MOS电容器 载流子产生
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基于Ieda模型的产生区电流与产生区宽度的理论关系
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作者 丁扣宝 施红军 张秀淼 《杭州大学学报(自然科学版)》 CSCD 1996年第3期246-250,共5页
采用Ieda提出的载流子发射的三维模型,研究了半导体中载流子的电场增强产生现象,推导出基于三维模型的产生区电流与产生区宽度的理论关系,并用于解释有关的实验结果.
关键词 半导体 电场增强 Ieda模型 载流子产生
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Investigating the charge transfer mechanism of ZnSe QD/COF S-scheme photocatalyst for H_(2)O_(2)production by using femtosecond transient absorption spectroscopy
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作者 Yanyan Zhao Chunyan Yang +4 位作者 Shumin Zhang Guotai Sun Bicheng Zhu Linxi Wang Jianjun Zhang 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE CAS CSCD 2024年第8期258-269,共12页
Hydrogen peroxide(H_(2)O_(2))has gained widespread attention as a versatile oxidant and a mild disin-fectant.Here,an electrostatic self-assembly method is applied to couple ZnSe quantum dots(QDs)with a flower-like cov... Hydrogen peroxide(H_(2)O_(2))has gained widespread attention as a versatile oxidant and a mild disin-fectant.Here,an electrostatic self-assembly method is applied to couple ZnSe quantum dots(QDs)with a flower-like covalent organic framework(COF)to form a step-scheme(S-scheme)photocata-lyst for H_(2)O_(2)production.The as-prepared S-scheme photocatalyst exhibits a broad light absorption range with an edge at 810 nm owing to the synergistic effect between the ZnSe QDs and COF.The S-scheme charge-carrier transfer mechanism is validated by performing Fermi level calculations and in-situ X-ray photoelectron and femtosecond transient absorption spectroscopies.Photolumi-nescence,time-resolved photoluminescence,photocurrent response,electrochemical impedance spectroscopy,and electron paramagnetic resonance results show that the S-scheme heterojunction not only promotes charge carrier separation but also boosts the redox ability,resulting in enhanced photocatalytic performance.Remarkably,a 10%-ZnSe QD/COF has excellent photocatalytic H_(2)O_(2)-production activity,and the optimal S-scheme composite with ethanol as the hole scavenger yields a H_(2)O_(2)-production rate of 1895 mol g^(-1)h-1.This study presents an example of a high-performance organic/inorganic S-scheme photocatalyst for H_(2)O_(2)production. 展开更多
关键词 ZnSe quantum dot Covalent organic framework S-scheme heterojunction Carrier migration and separation H_(2)O_(2)production
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电荷生成层中引入超薄金属Ag层对串联有机发光二极管性能的提升 被引量:3
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作者 陶洪 高栋雨 +4 位作者 刘佰全 王磊 邹建华 徐苗 彭俊彪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期293-300,共8页
为了获得高效、长寿命的白光有机发光二极管(white organic light-emitting diode,WOLED),一种方法是将不同颜色的发光单元通过电荷生成层(charge generation layer,CGL)串联起来获得白光,即串联WOLED.其中,CGL的选择与设计是高性能串... 为了获得高效、长寿命的白光有机发光二极管(white organic light-emitting diode,WOLED),一种方法是将不同颜色的发光单元通过电荷生成层(charge generation layer,CGL)串联起来获得白光,即串联WOLED.其中,CGL的选择与设计是高性能串联白光器件的关键.本文首先从绿光OLED着手,通过在CGL层中引入超薄的Ag金属层,获得了高效、长寿命的串联器件.引入超薄Ag金属层的绿光串联OLED的最大亮度达到了290000 cd/m^2,分别是单层器件和无超薄Ag金属层器件的2.9倍与2.4倍;在1000 cd/m^2下,引入超薄Ag金属层的器件电流效率达到了59.5 cd/A,相比于无超薄金属层的串联器件的58.7 cd/A,以及非串联的单层器件的17.1 cd/A,分别增加了1.4%与248%;同时,与无超薄层的串联器件相比,引入超薄Ag金属层的器件工作电压从8.6 V降为7.2 V;功率效率从21.5 lm/W上升为26 lm/W.特别地,在初始测试亮度为10000 cd/m^2的条件下,包含超薄Ag金属层的串联器件的工作寿命T80超过了250 h,与无超薄层串联器件仅2.7 h寿命相比,提高近100倍.最后,我们使用优化后的CGL制备出高性能串联WOLED,在1000 cd/m^2下,电流效率达到了75.9 cd/A,功率效率达到了36.1 lm/W,且10000 cd/m^2的初始亮度下T80有77 h.这些优异的器件性能归结于超薄金属层的引入,抑制了Bphen:Cs CO_3与HAT-CN在界面处的相互扩散,同时也促进了载流子的生成与传输.这一结果为设计高效且稳定的WOLED提供了有效的思路. 展开更多
关键词 有机电致发光器件 串联 寿命 载流子产生
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三苯胺甲醛二苯腙的合成及其光电性能研究 被引量:5
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作者 迟成林 丁瑞松 +3 位作者 张其春 蒋克健 杨联明 王艳乔 《感光科学与光化学》 CSCD 北大核心 2001年第1期43-47,共5页
合成了一种新型的三苯胺类载流子传输材料三苯胺甲苯二苯腙 ,通过一系列手段对该化合物性能进行了表征 ,并以此化合物为载流子空穴传输材料 ,Y 型酞菁氧钛为载流子产生材料制备了光导器件 ,测定了该光电器件的光电性能 ,显示出良好的光... 合成了一种新型的三苯胺类载流子传输材料三苯胺甲苯二苯腙 ,通过一系列手段对该化合物性能进行了表征 ,并以此化合物为载流子空穴传输材料 ,Y 型酞菁氧钛为载流子产生材料制备了光导器件 ,测定了该光电器件的光电性能 ,显示出良好的光电性能 (E1/ 2 =1 .0lx .s) ,可以替代常用的载流子传输材料二乙基苯甲醛二苯腙 . 展开更多
关键词 三苯胺甲醛二苯腙 载流子传输材料 载流子产生材料
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高光敏性酞菁氧钛及光电器件制备工艺研究
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作者 卞曙光 余银霞 陈建峰 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1047-1050,共4页
研究了高光敏性TiOPc及其光导器件的制备工艺.研究结果表明,以邻二氯苯/水为晶型调节剂,经减压加热干燥可制得高光敏性Y-TiOPc;以Y-TiOPc为载流子产生材料,以2丁酮为分散剂,在m(TiOPc):m(PVB)=1:1时制得光电器件载流子产生层,此... 研究了高光敏性TiOPc及其光导器件的制备工艺.研究结果表明,以邻二氯苯/水为晶型调节剂,经减压加热干燥可制得高光敏性Y-TiOPc;以Y-TiOPc为载流子产生材料,以2丁酮为分散剂,在m(TiOPc):m(PVB)=1:1时制得光电器件载流子产生层,此时充电电位V0,残余电势Vr, 表面电压衰减到一半时所需的能量 E1/2分别为720 V,20 V,0.72lx.s,光导器件的光电导性能最好. 展开更多
关键词 酞菁氧钛 载流子产生材料 光电导性 晶型 分散剂
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渐变带隙结构在Ⅲ-Ⅴ族太阳电池中的应用 被引量:4
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作者 彭华 周之斌 +4 位作者 崔容强 叶庆好 庞乾骏 陈鸣波 赵亮 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期958-964,共7页
在分析半导体带隙的渐变结构理论的基础上,研究了具有渐变带隙结构太阳电池的普遍规律和特点,采用AMPS软件结合相关试验参数对ⅢⅤ族的AlxGa1-xAs类太阳电池中渐变带隙结构进行了计算模拟,并与普通电池进行了对比分析.一方面,带宽的递... 在分析半导体带隙的渐变结构理论的基础上,研究了具有渐变带隙结构太阳电池的普遍规律和特点,采用AMPS软件结合相关试验参数对ⅢⅤ族的AlxGa1-xAs类太阳电池中渐变带隙结构进行了计算模拟,并与普通电池进行了对比分析.一方面,带宽的递增或递减构成的势垒可以形成附加电场,帮助少子收集,增加少子寿命;另一方面,渐变后的带隙会影响实际光谱的吸收效率,使得总的载流子产额以及可利用部分发生变化,总结出带隙的渐变结构对载流子实际产生、收集等情况有着多方面的调制作用. 展开更多
关键词 太阳电池 渐变带隙 载流子产生 载流子收集
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交流发光二极管的研究进展 被引量:2
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作者 潘飞 戴一仲 +1 位作者 李明光 陈润锋 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期21-38,共18页
随着光电信息产业的高速发展,发光二极管(LEDs)作为固态照明和显示设备的核心单元,受到了研究人员的广泛关注。根据驱动方式的不同,一般将LEDs分为恒压或直流驱动的LEDs(DC-LEDs)以及交流驱动的LEDs(AC-LEDs)。与DC-LEDs相比,AC-LEDs不... 随着光电信息产业的高速发展,发光二极管(LEDs)作为固态照明和显示设备的核心单元,受到了研究人员的广泛关注。根据驱动方式的不同,一般将LEDs分为恒压或直流驱动的LEDs(DC-LEDs)以及交流驱动的LEDs(AC-LEDs)。与DC-LEDs相比,AC-LEDs不仅可以避免载流子大量累积所导致的亮度和效率降低,并且无需变压与整流系统即可接入交流电系统中,大幅简化了器件集成工艺,因此AC-LEDs展现出更好的应用前景。基于此,本文介绍了AC-LEDs的发光机制,总结了包括双绝缘、单绝缘、双注入、串联和平行结构在内的几种常见结构类型;综述了各类AC-LEDs的研究进展,探讨了各种结构对器件性能的影响,发现器件内部载流子的传输平衡和绝缘层的高介电性质是实现AC-LEDs高性能的关键因素;本文最后探讨了AC-LEDs所面临的机遇与挑战。 展开更多
关键词 交流驱动 有机发光二极管 绝缘层 载流子产生 频率
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等离子共振增强单晶硅太阳电池吸收的研究
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作者 朱馨怡 宣益民 史波 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期2425-2430,共6页
以硅-银为例建立理论模型,计算产生共振时电池内的电场分布,推导载流子产生率与电场强度的关系,结合稳态输运方程求解光生电流,分析等离子共振引起的增强电场对电池各区域电流的影响,并将计算结果与无粒子添加的情况进行对比,发现共振... 以硅-银为例建立理论模型,计算产生共振时电池内的电场分布,推导载流子产生率与电场强度的关系,结合稳态输运方程求解光生电流,分析等离子共振引起的增强电场对电池各区域电流的影响,并将计算结果与无粒子添加的情况进行对比,发现共振条件下发射极载流子浓度增加、短路电流增大。而总体电流密度提高是银纳米粒子附近光子吸收增强载流子产生率增大的结果。 展开更多
关键词 等离子共振 增强电场 载流子产生 短路电流
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一种栅控二极管结构的暗信号分析
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作者 胡波 李秋利 《集成电路通讯》 2014年第3期16-18,共3页
采用了一种由P型衬底、N型沟道和P+沟道截止组成的栅控二极管结构,并就影响该结构暗信号的载流子产生复合过程的相关因素进行了分析,讨论了温度、栽流子寿命和表面态密度等因素与暗信号的关系。经分析,可以通过降低功耗或采用制冷... 采用了一种由P型衬底、N型沟道和P+沟道截止组成的栅控二极管结构,并就影响该结构暗信号的载流子产生复合过程的相关因素进行了分析,讨论了温度、栽流子寿命和表面态密度等因素与暗信号的关系。经分析,可以通过降低功耗或采用制冷措施来改良器件。同时,如果用于制作的栅控二极管结构的材料,载流子寿命长,在一定程度上也可以降低栅控二极管结构的暗信号,提升栅控二极管的品质。 展开更多
关键词 栅控二极管 载流子产生复合 暗信号 表面态
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空间分辨率改善了的光敏列阵
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作者 Theodorei Kemins. +1 位作者 Godfrey T. Fong 柳圭如 《红外技术》 1979年第3期1-11,共11页
纵然人们使光学系统的各光组最优化,散射光亦被减少,成象用的光敏列阵所能获得的空间分辨率还会受到光生载流子在均匀掺杂半导体中扩散的限制。一种旨在改善极限空间分辨率的技术已经研究成熟;此项技术在于加入一个准表面电场,这个电场... 纵然人们使光学系统的各光组最优化,散射光亦被减少,成象用的光敏列阵所能获得的空间分辨率还会受到光生载流子在均匀掺杂半导体中扩散的限制。一种旨在改善极限空间分辨率的技术已经研究成熟;此项技术在于加入一个准表面电场,这个电场使光生载流子要么加速趋向表面,要么加速离开表面,从而防止了载流子向远处的光敏元件扩散。在光敏列阵结构中掺入浓度梯度适当的杂质便获得了准表面电场。在已经制成的一种结构中,准表面场是由加在一片轻掺杂衬底上的一个重掺杂埋入层和一个轻掺杂外延层来产生的,而且它们的导电类型都相同。这种结构与在同一单片衬底上加入一些别的半导体器件的结构类似。该项技术已在一种硅集成电路里的光二极管列阵中应用。但其原理可以直接应用于其他类型的光敏列阵和半导体材料,例如电荷耦合器件(CCD)。 展开更多
关键词 表面电场 归一化 光生载流子 光电流 光敏面 载流子产生 串光 少数载流子 载流子(半导体) 空间分辨率 空间分辨力
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半导体技术
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《中国无线电电子学文摘》 1996年第3期31-40,共10页
关键词 半导体技术 载流子产生 西安电子科技大学 集成电路技术 一维方势垒 电场增强 势垒宽度 透射系数 势垒高度 半导体工业
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Pulse laser induced graphite-to-diamond phase transition: the role of quantum electronic stress
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作者 ZhengFei Wang Feng Liu 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第2期38-48,共11页
First-principles calculations show that the pulse laser induced graphite-to-diamond phase transition is related to the lattice stress generated by the excited carriers,termed as "quantum electronic stress(QES)&qu... First-principles calculations show that the pulse laser induced graphite-to-diamond phase transition is related to the lattice stress generated by the excited carriers,termed as "quantum electronic stress(QES)".We found that the excited carriers in graphite generate a large anisotropic QES that increases linearly with the increasing carrier density.Using the QES as a guiding parameter,structural relaxation spontaneously transforms the graphite phase into the diamond phase,as the QES is reduced and minimized.Our results suggest that the concept of QES can be generally applied as a good measure to characterize the pulse laser induced phase transitions,in analogy to pressure induced phase transitions. 展开更多
关键词 GRAPHITE quantum electronic stress phase transition
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Study of photocurrent generation in InP nanowire-based p+-i-n+ photodetectors
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作者 Vishal Jain Ali Nowzari +8 位作者 Jesper Wallentin Magnus T. Borgstrom Maria E. Messing Damir Asoli Mariusz Graczyk Bemd Witzigmann Federico Capasso Lars Samuelson Hakan Pettersson 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第4期544-552,共9页
We report on electrical and optical properties of p+-i-n+ photodetectors/solar cells based on square millimeter arrays of InP nanowires (NWs) grown on InP substrates. The study includes a sample series where the p... We report on electrical and optical properties of p+-i-n+ photodetectors/solar cells based on square millimeter arrays of InP nanowires (NWs) grown on InP substrates. The study includes a sample series where the p+-segment length was varied between 0 and 250 nm, as well as solar cells with 9.3% efficiency with similar design. The electrical data for all devices display clear rectifying behavior with an ideality factor between 1.8 and 2.5 at 300 K. From spectrally resolved photocurrent measurements, we conclude that the photocurrent generation process depends strongly on the p^-segment length. Without a p+-segment, photogenerated carriers funneled from the substrate into the NWs contribute strongly to the photocurrent. Adding a p+-segment decouples the substrate and shifts the depletion region, and collection of photogenerated carriers, to the NWs, in agreement with theoretical modeling. In optimized solar cells, clear spectral signatures of interband transitions in the zinc blende and wurtzite InP layers of the mixed-phase i-segments are observed. Complementary electroluminescence, transmission electron microscopy (TEM), as well as measurements of the dependence of the photocurrent on angle of incidence and polarization, support our interpretations. 展开更多
关键词 NANOPHOTONICS NANOWIRES infrared (IR) PHOTODETECTORS solar cells
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