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应变p型Si_(1-x)Ge_x层中载流子冻析 被引量：4
1
作者 张万荣 李志国 +4 位作者 罗晋生 孙英华 程尧海 陈建新 沈光地 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第11期51-54,共4页
本文用解析的方法研究了应变P型Si_(1-x)Gex层中载流子冻析现象．研究发现，用Si归一化的Si(1-x)Gex价带有效态密度，随x的增加而减小，而且温度T越低，随Ge组份x的增加而减少的速度越快与Si相比，常温下Ge组份x几乎对电离杂质浓度没有... 本文用解析的方法研究了应变P型Si_(1-x)Gex层中载流子冻析现象．研究发现，用Si归一化的Si(1-x)Gex价带有效态密度，随x的增加而减小，而且温度T越低，随Ge组份x的增加而减少的速度越快与Si相比，常温下Ge组份x几乎对电离杂质浓度没有什么影响，而在低温下，随Ge组份x的增加，电离杂质浓度随之增加，载流子冻析减弱，这对低温工作的Si(1-x)Gex器件有利． 展开更多
关键词 载流子冻析 电离杂质浓度 异质结器件
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