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载流子导引的折射率变化偏振相关性研究
1
作者
缪庆元
崔俊
+3 位作者
胡蕾蕾
何健
何平安
黄德修
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第20期503-507,共5页
分析了载流子浓度、张应变量大小、量子阱阱宽和量子阱垒区材料组分对量子阱结构TE模和TM模折射率变化的影响.综合调配以上参数得到1530—1570 nm波长范围内同时具有大的折射率变化量(10^(-2)量级)和折射率变化低偏振相关(10^(-4)量级)...
分析了载流子浓度、张应变量大小、量子阱阱宽和量子阱垒区材料组分对量子阱结构TE模和TM模折射率变化的影响.综合调配以上参数得到1530—1570 nm波长范围内同时具有大的折射率变化量(10^(-2)量级)和折射率变化低偏振相关(10^(-4)量级)的量子阱结构.研究表明,不同的调配参数组合可以得到同一波长范围内基本一致的折射率变化谱.
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关键词
折射率变化
载流子导引
偏振相关
量子阱
原文传递
兼顾量子阱材料增益与折射率变化的研究
被引量:
2
2
作者
缪庆元
何秀贞
《光学与光电技术》
2017年第2期20-27,共8页
对比分析了量子阱材料增益谱及其折射率变化谱随阱宽、应变和载流子浓度的变化特性,在此基础上以两谱线3dB谱宽交叠区面积为度量,分析了各因素对兼顾材料增益与折射率变化的影响,并剖析了其中的物理机理。研究表明,两谱线3dB谱宽交叠区...
对比分析了量子阱材料增益谱及其折射率变化谱随阱宽、应变和载流子浓度的变化特性,在此基础上以两谱线3dB谱宽交叠区面积为度量,分析了各因素对兼顾材料增益与折射率变化的影响,并剖析了其中的物理机理。研究表明,两谱线3dB谱宽交叠区面积随阱宽的变化过程中存在一个极大值;引入压应变有利于增大交叠区面积;交叠区面积随载流子浓度单调增加的过程中存在一个转折点,在转折点之前增加迅速,在转折点之后增加放缓。基于以上影响规律,选取适当的阱宽与压应变量,在载流子浓度为3.0×10^(24) m^(-3)时,设计出的In0.583Ga0.417As/In0.817Ga0.183As0.4P0.6量子阱在C波段内可恰当地兼顾增益与折射率变化,两谱线3dB谱宽交叠区面积为3.7×10~4 nm/cm。
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关键词
量子阱
载流子导引
增益
折射率变化
3
dB谱宽交叠区面积
原文传递
混合应变多量子阱实现折射率变化低偏振相关的理论分析
3
作者
戴明
缪庆元
+3 位作者
何平安
王宝龙
何秀贞
骆意
《光学与光电技术》
2016年第2期64-69,共6页
考虑温度变化和载流子注入阱间分布不均匀性,给出求解量子阱材料折射率变化的理论分析模型。分析了量子阱应变量大小、阱宽、垒区材料组分和注入载流子浓度对TE模和TM模折射率变化的影响。设计出折射率变化低偏振相关的混合应变多量子...
考虑温度变化和载流子注入阱间分布不均匀性,给出求解量子阱材料折射率变化的理论分析模型。分析了量子阱应变量大小、阱宽、垒区材料组分和注入载流子浓度对TE模和TM模折射率变化的影响。设计出折射率变化低偏振相关的混合应变多量子阱结构,在0~40℃的温度范围,其折射率变化量在1 530~1 570nm波长范围内具有较大数值(6×10^-3),且具有低的偏振相关性;当载流子浓度从1×10^24 m-3增大到3×10^24 m-3时,其折射率变化量在增大的同时,仍可在一定温度下保持低偏振相关。
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关键词
多量子阱
混合应变
折射率变化
载流子导引
偏振相关
原文传递
兼顾增益和折射率变化的低偏振混合应变多量子阱结构研究
4
作者
彭辉
缪庆元
《光学与光电技术》
2020年第3期111-118,共8页
对比分析了单量子阱TE模和TM模增益谱及其折射率变化谱随应变、阱宽的变化规律,同时分析了应变和阱宽对兼顾增益和折射率变化的影响。进一步考虑波导的光学限制因子及多量子阱阱间载流子浓度分布的不均匀性,提出一种多参数调配方法,据...
对比分析了单量子阱TE模和TM模增益谱及其折射率变化谱随应变、阱宽的变化规律,同时分析了应变和阱宽对兼顾增益和折射率变化的影响。进一步考虑波导的光学限制因子及多量子阱阱间载流子浓度分布的不均匀性,提出一种多参数调配方法,据此设计出C波段内兼顾增益谱和折射率变化谱的低偏振混合应变多量子阱结构。最后,通过分析选定合适的载流子浓度。当载流子浓度为3.22×1024m-3时,TE模和TM模3 dB谱宽交叠区面积分别为84.81 nm/cm和74.50 nm/cm,增益偏振相关性和折射率偏振相关性分别保持在4%和6%以内。该研究结果有助于未来全光网络中相关器件的优化设计。
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关键词
混合应变多量子阱
载流子导引
增益
折射率变化
3
dB谱宽交叠区面积
低偏振相关
原文传递
题名
载流子导引的折射率变化偏振相关性研究
1
作者
缪庆元
崔俊
胡蕾蕾
何健
何平安
黄德修
机构
武汉大学电子信息学院
武汉光迅科技股份有限公司
华中科技大学光电子科学与工程学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第20期503-507,共5页
基金
国家自然科学基金(批准号:60877039)
湖北省自然科学基金(批准号:2008CDB328)资助的课题~~
文摘
分析了载流子浓度、张应变量大小、量子阱阱宽和量子阱垒区材料组分对量子阱结构TE模和TM模折射率变化的影响.综合调配以上参数得到1530—1570 nm波长范围内同时具有大的折射率变化量(10^(-2)量级)和折射率变化低偏振相关(10^(-4)量级)的量子阱结构.研究表明,不同的调配参数组合可以得到同一波长范围内基本一致的折射率变化谱.
关键词
折射率变化
载流子导引
偏振相关
量子阱
Keywords
refractive index change, carrier-induced, polarization dependence, quantum well
分类号
TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]
原文传递
题名
兼顾量子阱材料增益与折射率变化的研究
被引量:
2
2
作者
缪庆元
何秀贞
机构
武汉大学电子信息学院
出处
《光学与光电技术》
2017年第2期20-27,共8页
基金
国家自然科学基金(60877039)资助项目
文摘
对比分析了量子阱材料增益谱及其折射率变化谱随阱宽、应变和载流子浓度的变化特性,在此基础上以两谱线3dB谱宽交叠区面积为度量,分析了各因素对兼顾材料增益与折射率变化的影响,并剖析了其中的物理机理。研究表明,两谱线3dB谱宽交叠区面积随阱宽的变化过程中存在一个极大值;引入压应变有利于增大交叠区面积;交叠区面积随载流子浓度单调增加的过程中存在一个转折点,在转折点之前增加迅速,在转折点之后增加放缓。基于以上影响规律,选取适当的阱宽与压应变量,在载流子浓度为3.0×10^(24) m^(-3)时,设计出的In0.583Ga0.417As/In0.817Ga0.183As0.4P0.6量子阱在C波段内可恰当地兼顾增益与折射率变化,两谱线3dB谱宽交叠区面积为3.7×10~4 nm/cm。
关键词
量子阱
载流子导引
增益
折射率变化
3
dB谱宽交叠区面积
Keywords
quantum well
carrier-inducedl gain
refractive index change
overlap region area of 3 dB spectrum width
分类号
O471 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
混合应变多量子阱实现折射率变化低偏振相关的理论分析
3
作者
戴明
缪庆元
何平安
王宝龙
何秀贞
骆意
机构
武汉大学电子信息学院
出处
《光学与光电技术》
2016年第2期64-69,共6页
基金
国家自然科学基金(60877039)资助项目
文摘
考虑温度变化和载流子注入阱间分布不均匀性,给出求解量子阱材料折射率变化的理论分析模型。分析了量子阱应变量大小、阱宽、垒区材料组分和注入载流子浓度对TE模和TM模折射率变化的影响。设计出折射率变化低偏振相关的混合应变多量子阱结构,在0~40℃的温度范围,其折射率变化量在1 530~1 570nm波长范围内具有较大数值(6×10^-3),且具有低的偏振相关性;当载流子浓度从1×10^24 m-3增大到3×10^24 m-3时,其折射率变化量在增大的同时,仍可在一定温度下保持低偏振相关。
关键词
多量子阱
混合应变
折射率变化
载流子导引
偏振相关
Keywords
multiple quantum well
mixed strain
refractive index change
carrier-induced
polarization dependence
分类号
TN913.7 [电子电信—通信与信息系统]
原文传递
题名
兼顾增益和折射率变化的低偏振混合应变多量子阱结构研究
4
作者
彭辉
缪庆元
机构
武汉大学电子信息学院
出处
《光学与光电技术》
2020年第3期111-118,共8页
基金
国家自然科学基金(60877039)资助项目
文摘
对比分析了单量子阱TE模和TM模增益谱及其折射率变化谱随应变、阱宽的变化规律,同时分析了应变和阱宽对兼顾增益和折射率变化的影响。进一步考虑波导的光学限制因子及多量子阱阱间载流子浓度分布的不均匀性,提出一种多参数调配方法,据此设计出C波段内兼顾增益谱和折射率变化谱的低偏振混合应变多量子阱结构。最后,通过分析选定合适的载流子浓度。当载流子浓度为3.22×1024m-3时,TE模和TM模3 dB谱宽交叠区面积分别为84.81 nm/cm和74.50 nm/cm,增益偏振相关性和折射率偏振相关性分别保持在4%和6%以内。该研究结果有助于未来全光网络中相关器件的优化设计。
关键词
混合应变多量子阱
载流子导引
增益
折射率变化
3
dB谱宽交叠区面积
低偏振相关
Keywords
hybrid strain multiple quantum well
carrier-induced
gain
refractive index change
3 dB spectral width overlap area
low-polarization
分类号
O471.1 [理学—半导体物理]
TN929.1 [电子电信—通信与信息系统]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
载流子导引的折射率变化偏振相关性研究
缪庆元
崔俊
胡蕾蕾
何健
何平安
黄德修
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
原文传递
2
兼顾量子阱材料增益与折射率变化的研究
缪庆元
何秀贞
《光学与光电技术》
2017
2
原文传递
3
混合应变多量子阱实现折射率变化低偏振相关的理论分析
戴明
缪庆元
何平安
王宝龙
何秀贞
骆意
《光学与光电技术》
2016
0
原文传递
4
兼顾增益和折射率变化的低偏振混合应变多量子阱结构研究
彭辉
缪庆元
《光学与光电技术》
2020
0
原文传递
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