纹波电流对LED光效的影响

本文从实验测量和数值模拟两个方面研究了不同波形、幅值及直流偏置下纹波电流对LED光效的影响。研究了LED的droop因子和电压电流曲线,用数值方法模拟纹波电流对LED光效的影响,并设计实验测量纹波电流对LED光效的实际影响。根据LED的droop效应,载流子溢出使LED外量子效率下降,是纹波电流使LED光效下降的物理机理。

量子阱厚度和势垒掺杂对大功率AlGaInP LED发光效率衰减特性的影响

GaAs基AlGaInP LED是目前光电子器件研究领域的国际前沿和热点,伴随工业制备技术的日趋成熟,其稳定性和发光效率都得到了明显的提升.但是,在超高电流下工作的AlGaInP大功率芯片仍存在着发光效率衰减严重的问题.目前已知的影响因素主要是载流子的溢出和俄歇复合的加强与否.本文通过分析具有不同势阱厚度和势垒中不同浓度的P型掺杂的AlGaInP样品的光致发光图谱变化与电流密度和辐射效率的关系,发现在势阱厚度为20nm,势垒P型掺杂浓度为1×1017 cm-3时,可以显著改善大功率LED的高温衰减特性.