考虑载流子速度和耗尽层宽度随电压变化的VBIC模型

针对VBIC(vertical bipolar inter-company)模型对HBT多电压偏置下S参数拟合不够准确的问题,考虑了GaAs基HBT集电区载流子速度和耗尽层宽度随电压的变化关系,建立了随外加电压变化的集电区渡越时间方程.将得到的渡越时间方程内嵌到VBIC模型中,改进的模型提高了GaAs基HBT多电压偏置下S参数的拟合精度,其在很宽的电压范围内均与实际测试结果符合良好.

稳恒电流磁场与库仑电场的关系研究

用电磁学方法证明了电流元产生元磁场的3个方程的等价性;由稳恒电流元的磁场表达式导出了元磁场与载流电荷元产生的库仑电场的关系。讨论了该表达式的物理意义,指出,该表达式明确指出稳恒磁场是由电荷的定向运动产生的;稳恒磁场是以光速传播的,为否定"超距作用"的观点提供了新的依据。认为v×dE/c2表示了库仑电场力的无功功率,由此可知,稳恒电流的磁场可以由载流电荷库仑力的无功功率表示。这样的结果有利于初学电磁学的人正确理解磁场的产生、来源和传播。讨论了运用新的表达式求解磁场的方法,指出,运用电荷密度与载流子定向运动速度的乘积等于电流密度和点电荷的库仑场表达式的方法求解磁场甚为方便,如此做法可以省去传统的求解磁场必须掌握的复杂计算方法。并由此推断超导载流子的平均定向运动速度远远大于正常导体内载流子的定向运动速度,否则,超导电流不可能产生几十个特斯拉的磁场。

TOSA中pin背光探测器的P-I非线性特性研究

TOSA中用到的pin背光探测器是监测与控制LD前光输出特性的敏感器件,其光功率(P)和光电流(I)应具有线性关系。测试发现,不同结构和尺寸的探测器的P-I特性可能有所不同。目前普遍使用的正面进光的pin平面型光探测器,常存在某种范围的P-I非线性。分析指出,这种非线性与器件内部结构、表面接触层情况、入射光密度、外加负偏压大小和负载电阻有关;并指出,当pin-PD中pi结位置合适、外加负偏压1.5 V以上,负载电阻1 kW,LD前光入射光功率8 mW以下,则pin背光探测器的P-I非线性可忽略。

凝视列阵—未来的轻型热象仪

目前的高性能热象仪正象通用组件一样很容易获得,这些系统通常采用一个扫描机构产生二维显示,这种机构难以适合于价廉、轻型、小型化的热象仪。然而随着二维封闭列阵红外探测器的出现,现在研制这种系统就逐渐成为可能的事情。RSRE和McesFrimley联合生产了一种用碲镉汞探测器的小型热象仪,该系统适合于使用3—5μm和8—14μm两个波段的列阵,并可用于研究各种电子校正机构。

SiC专刊征稿启事

电力电子器件发展直接带动了大功率变流器水平的整体提升,并促进和推动了电力电子技术和应用的迅速发展。碳化硅（SiC）作为当前国际上最先进的第三代新型半导体材料,具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子漂移速度等特点。与传统的硅材料器件相比,SiC器件可减少能耗75%,大幅降低设备成本并提高系统可靠性,可广泛应用于国民经济的各个领域。