电致发光谱测量β- FeSi_2-Si异质结载流子限制(英文)

设计了一种将 β FeSi2 颗粒埋入非故意掺杂Si中的Sip π n二极管来确定 β FeSi2 Si异质结的能隙差 .当二极管处于正向偏置时 ,通过Sin p-结注入的电子扩散到 β FeSi2 并由于Si与 β FeSi2 之间的能隙差而受到限制 ,电荷在异质结的积累反过来阻挡了电子的继续扩散 ,将电子局域化在靠近Sin p-结的 p- Si区 .少子的局域化减少了非辐射复合的途径 ,Si和β FeSi2 的发光增强 ,淬灭速率变慢 ,在室温低电流下仍可得到Si和 β FeSi2 电致发光 .Si和 β FeSi2 发光强度的比率对温度的依存性表明同型异质结对电子限制能力的减弱符合热发射模型 ,由此确定出Si和 β FeSi2 异质结导带带阶差为 0 2eV .

分别限制量子阱激光器的载流子限制特性及漏电流

本文在数值求解分别限制量子阶激光器的光增益及阈值电流密度的基础上，计算和分析了漂移和扩散两种机制引起的漏电流对半导体激光器阅值电流密度的影响讨论了激光器的结构参数与漏电流的关系。计算结果和实验值进行了比较。

Be基Ⅱ-Ⅵ族四元合金对蓝绿激光器发光层载流子的限制作用

ＺｎＳｅ基激光器的退化缺陷（特别是层错缺陷）严重地影响了长寿命器件的获得．人们开始将注意力投向离子性较低的Ｂｅ基化合物，希望Ｂｅ的加入能有效地改善器件的性能．由于对Ｂｅ基化合物的了解十分有限，本文从基本的原子参数出发，用原子轨道线性组合（ＬＣＡＯ）方法计算了Ｂｅ－Ⅵ化合物及其他Ⅱ－Ⅵ族化合物价带的ｏｆｓｅｔ．结合带隙的实验值，给出了Ⅱ－Ⅵ族化合物导带的ｏｆｓｅｔ．粗略分析了Ｂｅ基二元化合物用于ＺｎＳｅ载流子限制的可能性．根据虚晶近似，用插值方法计算了Ｂｅ基四元合金相对于ＺｎＳｅ价带、导带的ｏｆｓｅｔ．讨论了Ｂｅ基四元合金用作活性层和载流子限制层的可能性．